石榴石磁泡薄膜中硬磁畴的行为
中文摘要 | 第1-6页 |
英文摘要 | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-19页 |
·薄膜概述 | 第11-12页 |
·磁泡薄膜概述 | 第12-13页 |
·存储器 | 第13-16页 |
·磁泡存储器 | 第13-14页 |
·布洛赫线存储器 | 第14-16页 |
·选题背景和研究内容 | 第16-19页 |
第2章 样品的性质及其制备方法 | 第19-31页 |
·磁泡材料概述 | 第19-22页 |
·磁泡材料的必要条件 | 第19-21页 |
·磁泡材料的发展概况 | 第21-22页 |
·石榴石磁泡材料的性质 | 第22-26页 |
·石榴石磁泡材料的晶体性质 | 第22-23页 |
·石榴石磁泡材料的磁学性质 | 第23-26页 |
·石榴石磁泡样品的制备 | 第26-31页 |
第3章 基本理论 | 第31-55页 |
·磁畴和磁泡 | 第31页 |
·磁泡的形成和磁泡的静态理论 | 第31-37页 |
·磁泡的形成条件 | 第31-32页 |
·磁泡的静态特性 | 第32-37页 |
·磁畴壁和布洛赫线 | 第37-47页 |
·畴壁结构 | 第37-40页 |
·布洛赫线 | 第40-44页 |
·布洛赫线间的相互作用 | 第44-45页 |
·布洛赫点 | 第45-47页 |
·磁泡的动态理论 | 第47-55页 |
·畴壁运动基础方程式 | 第47-49页 |
·含垂直布洛赫线的平面畴壁的运动 | 第49-52页 |
·磁泡的运动 | 第52-55页 |
第4章 实验准备 | 第55-65页 |
·实验装置 | 第55-56页 |
·硬磁畴的产生方法 | 第56-57页 |
·脉冲偏场法 | 第56页 |
·低直流偏场法 | 第56-57页 |
·畴形及其分类 | 第57-59页 |
·系列脉冲法产生的畴形 | 第57-59页 |
·低直流偏场法产生的畴形 | 第59页 |
·参数测量 | 第59-65页 |
·脉冲小线圈校准 | 第59-60页 |
·参数测量方法 | 第60-62页 |
·本文所研究样品的参数 | 第62-65页 |
第5章 哑铃畴的动态特性的研究 | 第65-91页 |
·引言 | 第65-66页 |
·系列脉冲偏场法形成的哑铃畴的动态规律 | 第66-72页 |
·实验步骤 | 第66页 |
·实验结果和讨论 | 第66-72页 |
·零偏场时产生的枝状畴的动态特性的研究 | 第72-76页 |
·实验步骤 | 第73页 |
·实验结果和讨论 | 第73-76页 |
·低直流偏场法形成正、负VBL的规律 | 第76-88页 |
·实验步骤 | 第76-78页 |
·实验结果和讨论 | 第78-88页 |
·经面内场作用后的哑铃畴的动态特性 | 第88-89页 |
·实验步骤 | 第88页 |
·实验结果和讨论 | 第88-89页 |
·小结 | 第89-91页 |
第6章 面内场对三类硬磁畴的影响 | 第91-97页 |
·引言 | 第91-93页 |
·实验步骤 | 第93页 |
·实验结果和讨论 | 第93-96页 |
·小结 | 第96-97页 |
第7章 石榴石磁泡薄膜中硬磁畴的热稳定性 | 第97-105页 |
·引言 | 第97-99页 |
·实验步骤 | 第99页 |
·实验结果和讨论 | 第99-103页 |
·小结 | 第103-105页 |
第8章 结论 | 第105-107页 |
参考文献 | 第107-117页 |
致谢 | 第117-118页 |
攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第118页 |