高压IGBT的建模与仿真
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| ·课题背景 | 第8页 |
| ·国内外发展现状 | 第8-16页 |
| ·IGBT的提出以及模型建立 | 第9-10页 |
| ·关断时间的优化 | 第10-12页 |
| ·新型结构和发展动态 | 第12-14页 |
| ·主要产品 | 第14-15页 |
| ·国内研究现状 | 第15-16页 |
| ·课题的目的和意义 | 第16页 |
| ·论文主要工作 | 第16-17页 |
| 第2章 IGBT的基础理论以及软件简介 | 第17-29页 |
| ·IGBT的工作原理 | 第17-19页 |
| ·IGBT的工作模式 | 第19-20页 |
| ·IGBT的纵向结构 | 第20-24页 |
| ·穿通型结构 | 第21-22页 |
| ·非穿通型结构 | 第22-23页 |
| ·两种结构的比较 | 第23-24页 |
| ·Medici软件简介 | 第24-28页 |
| ·物理描述 | 第24-25页 |
| ·模型的选用 | 第25-26页 |
| ·网格划分 | 第26-27页 |
| ·解方程的收敛问题 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 NPT型IGBT的设计 | 第29-47页 |
| ·NPT型IGBT的设计基础 | 第29-30页 |
| ·NPT型IGBT的结构设计 | 第30-31页 |
| ·参数对器件性能的影响 | 第31-38页 |
| ·栅氧厚度对阈值电压的影响 | 第32-33页 |
| ·沟道长度对器件性能的影响 | 第33页 |
| ·P阱掺杂浓度对器件性能的影响 | 第33-35页 |
| ·N~+源极掺杂浓度对器件性能的影响 | 第35-36页 |
| ·P~+阳极区对器件性能的影响 | 第36-38页 |
| ·优化设计与仿真结果 | 第38-45页 |
| ·转移特性 | 第39页 |
| ·正向导通特性 | 第39-41页 |
| ·NPT结构的击穿特性 | 第41页 |
| ·NPT结构的动态特性 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 PT型IGBT的设计 | 第47-60页 |
| ·PT型IGBT的设计基础 | 第47-48页 |
| ·PT型IGBT的结构设计 | 第48-49页 |
| ·参数对器件性能的影响 | 第49-52页 |
| ·N~+缓冲层的厚度对器件性能的影响 | 第49-50页 |
| ·N~+缓冲层的浓度对器件性能的影响 | 第50-52页 |
| ·优化与仿真结果分析 | 第52-56页 |
| ·栅极特性 | 第52-53页 |
| ·正向导通特性 | 第53-54页 |
| ·击穿特性 | 第54-55页 |
| ·动态特性 | 第55-56页 |
| ·两种结构的性能对比 | 第56-59页 |
| ·P~+阳极区的厚度和浓度 | 第57页 |
| ·N~-漂移区的厚度和载流子寿命 | 第57页 |
| ·击穿电压 | 第57-58页 |
| ·正向压降与关断时间 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
