SiC（001）表面重构与多型体的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·SiC研究背景 | 第9-18页 |
| ·SiC研究历史简介 | 第9-10页 |
| ·SiC材料的性质 | 第10-12页 |
| ·SiC材料的应用 | 第12-13页 |
| ·SiC晶体的多型性与布里渊区 | 第13-16页 |
| ·SiC国内外研究现状 | 第16-18页 |
| ·SiC理想表面与表面重构 | 第18-20页 |
| ·表面与界面的研究 | 第18-19页 |
| ·SiC理想表面与表面重构 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究意义、目的及内容 | 第20-23页 |
| ·本论文的研究意义和目的 | 第20-21页 |
| ·本论文的研究方法 | 第21-22页 |
| ·本论文的章节安排 | 第22-23页 |
| 第二章 第一性原理介绍 | 第23-40页 |
| ·密度泛函理论 | 第23-30页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第24-25页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第25-26页 |
| ·局域密度泛函近似(LDA) | 第26-27页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第27-28页 |
| ·布洛赫定理 | 第28-30页 |
| ·赝势方法 | 第30-34页 |
| ·正交平面波 | 第31-32页 |
| ·赝势 | 第32-34页 |
| ·电子驰豫和离子驰豫 | 第34-36页 |
| ·电子驰豫 | 第34-35页 |
| ·离子驰像 | 第35-36页 |
| ·计算程序VASP简介 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 3C-SiC(001)表面重构 | 第40-60页 |
| ·引言 | 第40-42页 |
| ·物理模型和计算方法 | 第42-43页 |
| ·3C-SiC(001)Si端(2×1)表面重构 | 第43-49页 |
| ·表面原子结构 | 第43-45页 |
| ·表面电子结构 | 第45-49页 |
| ·3C-SiC(001)C端(2×2)表面重构 | 第49-54页 |
| ·表面原子结构 | 第49-50页 |
| ·表面电子结构 | 第50-54页 |
| ·3C-SiC(001)Si端(3×2)表面重构 | 第54-58页 |
| ·表面原子结构 | 第54-55页 |
| ·表面电子结构 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 SiC多型体原子与电子结构 | 第60-73页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·计算过程 | 第60-61页 |
| ·3C-SiC | 第61-63页 |
| ·3C-SiC原子结构 | 第61-62页 |
| ·3C-SiC电子结构 | 第62-63页 |
| ·2H-SiC | 第63-66页 |
| ·2H-SiC原子结构 | 第63-64页 |
| ·2H-SiC电子结构 | 第64-66页 |
| ·4H-SiC | 第66-68页 |
| ·4H-SiC原子结构 | 第66-67页 |
| ·4H-SiC电子结构 | 第67-68页 |
| ·6H-SiC | 第68-72页 |
| ·6H-SiC原子结构 | 第68-69页 |
| ·6H-SiC电子结构 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 攻读学位期间的主要研究成果 | 第84页 |
