| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 前言 | 第11页 |
| 1.2 光催化概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 光催化技术 | 第11页 |
| 1.2.2 半导体光催化反应原理 | 第11-12页 |
| 1.2.3 影响半导体光催化活性的主要因素 | 第12-13页 |
| 1.2.4 光催化剂的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 传统的光催化剂 | 第14-18页 |
| 1.3.1 TiO_2光催化剂 | 第14-17页 |
| 1.3.2 ZnO光催化剂 | 第17-18页 |
| 1.4 g-C_3N_4半导体光催化材料的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4.1 g-C_3N_4历史发展进程 | 第18页 |
| 1.4.2 g-C_3N_4的合成方法 | 第18-19页 |
| 1.4.3 g-C_3N_4的改性方法 | 第19-21页 |
| 1.5 其他新型光催化材料的研究进展 | 第21-26页 |
| 1.5.1 系化合物光催化剂 | 第21-24页 |
| 1.5.2 银基化合物半导体材料 | 第24-26页 |
| 1.6 本论文的选题思路和主要研究内容 | 第26-27页 |
| 1.6.1 选题思路 | 第26页 |
| 1.6.2 主要研究内容 | 第26-27页 |
| 2 实验内容 | 第27-30页 |
| 2.1 主要实验试剂 | 第27页 |
| 2.2 仪器 | 第27-28页 |
| 2.3 表征分析方法 | 第28-29页 |
| 2.3.1 XRD分析 | 第28页 |
| 2.3.2 SEM和TEM分析 | 第28页 |
| 2.3.3 FT-IR分析 | 第28页 |
| 2.3.4 UV-Vis DRS分析 | 第28-29页 |
| 2.3.5 光致发光光谱分析 | 第29页 |
| 2.3.6 XPS分析 | 第29页 |
| 2.4 光催化活性测试 | 第29-30页 |
| 3 超薄g-C_3N_4纳米片的制备与光催化性能研究 | 第30-37页 |
| 3.1 前言 | 第30页 |
| 3.2 实验部分 | 第30-31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-36页 |
| 3.3.1 表征方法 | 第31-34页 |
| 3.3.2 光催化剂的催化活性研究 | 第34-36页 |
| 3.3.3 超薄g-C_3N_4纳米片纳米片形成机理研究 | 第36页 |
| 3.4 本章总结 | 第36-37页 |
| 4 Bi_2O_3/g-C_3N_4光催化剂的制备与光催化性能研究 | 第37-47页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 实验部分 | 第37-38页 |
| 4.2.1 多孔石墨相氮化碳的制备 | 第37-38页 |
| 4.2.2 石墨相氮化碳纳米片的制备 | 第38页 |
| 4.2.3 Bi_2O_3的制备 | 第38页 |
| 4.2.4 Bi_2O_3/g-C_3N_4复合光催化剂的制备 | 第38页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第38-46页 |
| 4.3.1 Bi_2O_3/g-C_3N_4复合光催化剂的表征 | 第38-44页 |
| 4.3.2 Bi_2O_3/g-C_3N_4光催化剂的光催化性能研究 | 第44-45页 |
| 4.3.3 Bi_2O_3/g-C_3N_4光催化剂的可能降解机理 | 第45-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 5 Ag_3PO_4@g-C_3N_4光催化剂的制备与光催化性能研究 | 第47-57页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 光催化剂的制备 | 第47-48页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第48-56页 |
| 5.3.1 Ag_3PO_4@g-C_3N_4光催化剂的表征 | 第48-53页 |
| 5.3.2 Ag_3PO_4@g-C_3N_4光催化剂的光催化活性研究 | 第53-54页 |
| 5.3.3 Ag_3PO_4@g-C_3N_4光催化剂的光催化机理研究 | 第54-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 6 结论与展望 | 第57-59页 |
| 6.1 结论 | 第57-58页 |
| 6.2 展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-69页 |
| 附录 | 第69页 |
