摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第10-25页 |
1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
1.2 钙钛矿材料基本概述 | 第11-13页 |
1.2.1 钙钛矿材料结构 | 第11-12页 |
1.2.2 钙钛矿材料相转变性质 | 第12页 |
1.2.3 钙钛矿材料禁带宽度调节 | 第12-13页 |
1.3 全无机钙钛矿量子点介绍 | 第13-17页 |
1.3.1 CsPbX_3 (X=Cl,Br,I)性能介绍 | 第13-15页 |
1.3.2 钙钛矿材料的合成方法 | 第15-17页 |
1.4 钙钛矿LED介绍 | 第17-23页 |
1.4.1 钙钛矿LED结构原理 | 第17-19页 |
1.4.2 钙钛矿LED发展历程 | 第19-22页 |
1.4.3 钙钛矿LED当前问题 | 第22-23页 |
1.5 本文研究内容 | 第23-25页 |
第2章 实验设备及表征方法 | 第25-33页 |
2.1 引言 | 第25页 |
2.2 试剂、实验设备及表征 | 第25-29页 |
2.2.1 试剂和药品 | 第25-26页 |
2.2.2 实验设备 | 第26页 |
2.2.3 实验的表征 | 第26-29页 |
2.3 LED测试平台的搭建 | 第29-31页 |
2.3.1 电极及掩膜版结构设计 | 第29-30页 |
2.3.2 测试平台的设计 | 第30页 |
2.3.3 LED测试参数 | 第30-31页 |
2.4 实验用量子点合成过程 | 第31-32页 |
2.5 本章小结 | 第32-33页 |
第3章 热注入法合成钙钛矿量子点及LED制备与表征 | 第33-43页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 全光谱钙钛矿量子点的合成及表征 | 第33-35页 |
3.2.1 实验方案 | 第33-34页 |
3.2.2 钙钛矿量子点材料表征及分析 | 第34-35页 |
3.3 钙钛矿量子点LED的制备过程 | 第35-38页 |
3.3.1 钙钛矿LED器件结构设计 | 第35-36页 |
3.3.2 制备工艺流程及工艺参数 | 第36-38页 |
3.4 不同光谱量子点LED的制备及测试 | 第38-42页 |
3.4.1 红光LED的制备及测试分析 | 第38-39页 |
3.4.2 绿光LED的制备及测试分析 | 第39-40页 |
3.4.3 蓝光LED的制备及测试分析 | 第40-42页 |
3.5 本章小结 | 第42-43页 |
第4章 钙钛矿量子点LED性能影响因素研究 | 第43-57页 |
4.1 引言 | 第43页 |
4.2 量子点浓度对LED性能的影响分析 | 第43-44页 |
4.3 量子点退火温度的考察 | 第44-48页 |
4.3.1 量子点退火温度对薄膜形貌的影响分析 | 第44-47页 |
4.3.2 量子点退火温度对LED性能的影响分析 | 第47-48页 |
4.4 量子点表面配体密度的考察 | 第48-55页 |
4.4.1 配体清洗实验方案 | 第48-49页 |
4.4.2 清洗次数对量子点荧光特性的影响分析 | 第49-50页 |
4.4.3 晶体表面配体及缺陷分析 | 第50-52页 |
4.4.4 清洗次数对量子点层薄膜形貌的影响 | 第52-54页 |
4.4.5 清洗次数对量子点LED性能的影响 | 第54-55页 |
4.5 本章小结 | 第55-57页 |
第5章 PEO掺杂CsPbBr_3钙钛矿薄膜的制备 | 第57-65页 |
5.1 引言 | 第57页 |
5.2 CsPbBr_3钙钛矿薄膜的制备 | 第57-58页 |
5.2.1 一步法制备CsPbBr_3钙钛矿薄膜 | 第57页 |
5.2.2 PEO掺杂制备CsPbBr_3钙钛矿薄膜 | 第57-58页 |
5.2.3 两种制备方法对比 | 第58页 |
5.3 PEO掺杂浓度的考察 | 第58-64页 |
5.3.1 实验方案 | 第58-59页 |
5.3.2 PEO掺杂浓度对薄膜性能的影响分析 | 第59-61页 |
5.3.3 PEO掺杂浓度对LED性能的影响分析 | 第61-63页 |
5.3.4 钙钛矿LED的稳定性分析 | 第63-64页 |
5.4 本章小结 | 第64-65页 |
第6章 结论与展望 | 第65-67页 |
6.1 结论 | 第65页 |
6.2 本文研究创新点 | 第65页 |
6.3 展望 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-73页 |
致谢 | 第73-74页 |
硕士期间获得的成果及奖励 | 第74页 |