| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 二硫化钼掺杂的进展 | 第10-13页 |
| 1.2.1 表面电荷转移式掺杂 | 第10-11页 |
| 1.2.2 替位掺杂 | 第11-12页 |
| 1.2.3 层间插层式掺杂 | 第12页 |
| 1.2.4 MoS_2掺杂小结 | 第12-13页 |
| 1.3 二硫化钼电学性能的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.4 本文的研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 实验的相关工艺及表征设备 | 第15-25页 |
| 2.1 制备MoS_(2(1-x))Se_(2x)的相关工艺 | 第15-17页 |
| 2.1.1 氧化硅衬底的制备及处理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 常压化学气相沉积系统 | 第16-17页 |
| 2.2 器件的设计及制作 | 第17-20页 |
| 2.2.1 器件的设计 | 第17-18页 |
| 2.2.2 电子束曝光与栅极刻蚀 | 第18页 |
| 2.2.3 金属电极的沉积 | 第18-20页 |
| 2.3 掺硒二硫化钼材料表征设备 | 第20-25页 |
| 2.3.1 金相显微镜 | 第20页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱仪 | 第20-22页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第22页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜 | 第22-23页 |
| 2.3.5 拉曼光谱仪 | 第23-24页 |
| 2.3.6 半导体参数分析仪 | 第24-25页 |
| 第三章 MoS_(2(1-x))Se_(2x)生长机理的研究 | 第25-39页 |
| 3.1 MoS_(2(1-x))Se_(2x)制备的基本工艺流程 | 第25-28页 |
| 3.2 工艺参数对MoS_(2(1-x))Se_(2x)纳米薄片尺寸的影响 | 第28-32页 |
| 3.2.1 生长温度对样品尺寸的影响 | 第28-30页 |
| 3.2.2 源用量对样品尺寸的影响 | 第30-32页 |
| 3.3 工艺参数对样品形状的影响 | 第32-34页 |
| 3.4 样品的层数控制 | 第34-37页 |
| 3.4.3 原子力对单层样品的表征 | 第34-36页 |
| 3.4.4 氢气载气对MoS_(2(1-x))Se_(2x)层数的影响 | 第36-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 硒掺杂的浓度控制及其相关表征 | 第39-50页 |
| 4.1 硒源用量对样品掺杂浓度的影响 | 第39页 |
| 4.2 拉曼光谱仪的相关表征 | 第39-41页 |
| 4.3 X射线光电子能谱仪的测试结果 | 第41-43页 |
| 4.4 单个样品浓度分布的表征 | 第43-46页 |
| 4.5 MoS_(2(1-x))Se_(2x)的晶格结构分析表征 | 第46-49页 |
| 4.5.1 透射电镜的制样 | 第46-47页 |
| 4.5.2 高分辨场发射透射电镜表征 | 第47-48页 |
| 4.5.3 聚光镜球差校正透射电镜 | 第48-49页 |
| 4.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 MoS_(2(1-x))Se_(2x)背栅场效应晶体管 | 第50-59页 |
| 5.1 背栅场效应晶体管的设计与制作 | 第50-52页 |
| 5.1.1 湿法刻蚀获得背栅电极 | 第50-51页 |
| 5.1.2 电子束曝光制造源漏电极 | 第51-52页 |
| 5.2 MoS_(2(1-x))Se_(2x)背栅晶体管电学性能分析 | 第52-57页 |
| 5.2.1 x=0时晶体管电学的性能 | 第52-54页 |
| 5.2.2 x=0.43时晶体管的电学性能 | 第54-56页 |
| 5.2.3 x=0.65时晶体管的电学性能 | 第56-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
