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BESⅢ上h_c衰变过程的研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 引言第11-18页
    1.1 粒子物理早期探索第11-12页
    1.2 理论基础第12-16页
        1.2.1 标准模型第12-13页
        1.2.2 粲偶素家族第13-16页
        1.2.3 粒子物理实验与加速器第16页
    1.3 论文背景与论文结构第16-17页
    1.4 论文结构第17页
    1.5 本章小结第17-18页
第二章 北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)和北京谱仪(BESⅢ)介绍第18-33页
    2.1 北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)第18-21页
    2.2 北京谱仪Ⅲ(BES-Ⅲ)第21-29页
        2.2.1 中心束流管(Beam Pipe)第23-24页
        2.2.2 主漂移室(MDC)第24-25页
        2.2.3 飞行时间计数器(TOF)第25页
        2.2.4 电磁量能器(EMC)第25-27页
        2.2.5 μ子鉴别器(μID)第27-28页
        2.2.6 超导磁铁(Superconduct Magnet)第28-29页
    2.3 电子学、触发判选及数据获取系统第29-30页
    2.4 BESⅢ离线软件系统第30-33页
        2.4.1 探测器模拟第31页
        2.4.2 离线刻度第31-32页
        2.4.3 事例重建第32页
        2.4.4 BESⅢ的蒙特卡罗产生子第32-33页
第三章 h_c→K~+K~-π~0/η过程的研究第33-48页
    3.1 蒙特卡罗模拟第33-34页
    3.2 事例选择第34-39页
        3.2.1 事例挑选的一般条件第34-35页
        3.2.2 粒子鉴别第35-36页
        3.2.3 末态光子的选择第36页
        3.2.4 事例重建条件第36-39页
    3.3 本底研究第39-40页
    3.4 h_c→π~0K~+K~-过程分支比上限的计算第40-42页
    3.5 h_c→ηK~+K~-过程分支比上限的计算第42-44页
    3.6 系统误差第44-47页
    3.7 本章小结第47-48页
第四章 h_c→γη_c分支比测量第48-59页
    4.1 蒙特卡罗模拟第48页
    4.2 事例选择第48-51页
        4.2.1 事例挑选的一般条件第48-50页
        4.2.2 粒子鉴别第50页
        4.2.3 事例重建条件第50-51页
    4.3 本底研究第51-52页
    4.4 不变质量谱与分支比第52-56页
    4.5 系统误差第56-58页
    4.6 本章小结第58-59页
第五章 总结第59-60页
参考文献第60-62页
致谢第62-64页

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