| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 国内外现状分析 | 第12-13页 |
| 1.4 课题的主要研究目的及内容 | 第13-15页 |
| 第2章 相关理论基础及分析 | 第15-23页 |
| 2.1 引言 | 第15页 |
| 2.2 Silvaco TCAD仿真工艺理论及分析 | 第15-17页 |
| 2.3 雪崩击穿和增益计算 | 第17-20页 |
| 2.3.1 雪崩击穿模型及相关效应分析 | 第17-18页 |
| 2.3.2 器件光吸收及增益 | 第18-20页 |
| 2.4 量子阱晶格失配和临界厚度 | 第20-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 红外增强APD结构优化及光电特性分析 | 第23-35页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 12微米工艺仿真及电学性能模拟 | 第23-29页 |
| 3.2.1 器件结构参数选择及工艺仿真 | 第23-26页 |
| 3.2.2 器件电学性能模拟 | 第26-29页 |
| 3.3 10微米SACM结构器件仿真及电学模拟 | 第29-32页 |
| 3.3.1 10微米SACM器件仿真设计 | 第29-30页 |
| 3.3.2 SACM结构电学性能模拟 | 第30-32页 |
| 3.4 器件光学性能模拟及光谱比较分析 | 第32-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 量子阱结构APD电学及红外光谱分析 | 第35-47页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 器件仿真SACM结构Si/Ge量子阱雪崩探测像元 | 第35-38页 |
| 4.3 工艺仿真的Si/Si1-xGex量子阱雪崩探测像元 | 第38-43页 |
| 4.3.1 量子阱基础探测像元设计 | 第38-40页 |
| 4.3.2 Ge含量x对拓宽波长的影响 | 第40-43页 |
| 4.4 量子阱探测像元光谱响应分析 | 第43-45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
