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基于MOS管振荡电路的非晶态合金弱磁场传感器的研制

内容提要第1-6页
第1章 引言第6-8页
第2章 非晶态合金用于传感器的性能基础第8-20页
   ·非晶态合金的基本性能第8-13页
     ·非晶态合金的力学性能第8-9页
     ·非晶态合金的化学性能第9页
     ·非晶态合金的电学性能第9-10页
     ·非晶态合金的磁学性能第10-13页
   ·非晶态合金的磁—电变换功能第13-17页
     ·法拉第电磁感应效应第13-14页
     ·霍尔效应第14-15页
     ·磁阻效应第15页
     ·大Barkhausen 效应第15-16页
     ·Matteucci 效应第16-17页
     ·MI 效应第17页
   ·非晶态合金传感器的基本组成要素第17-20页
第3章 双MOS 管反相器磁场传感器第20-36页
   ·双MOS 管反相器振荡电路第20-22页
   ·双MOS 管反相器磁场传感器的整体设计第22页
   ·传感机理第22-26页
   ·实验曲线和数据第26-32页
   ·输出曲线的后续调零放大处理第32-35页
   ·小结第35-36页
第4章 单MOS 管反相器磁场传感器第36-44页
   ·单MOS 管反相器磁场传感器整体设计第36-37页
   ·电路的工作原理第37-38页
   ·实验内容与数据第38-42页
   ·实验小结第42-44页
第5章 总结与展望第44-46页
   ·实验总结第44页
   ·下一步工作设想第44-46页
参考文献第46-48页
致谢第48-49页
摘要第49-51页
ABSTRACT第51-53页

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