基于MOS管振荡电路的非晶态合金弱磁场传感器的研制
内容提要 | 第1-6页 |
第1章 引言 | 第6-8页 |
第2章 非晶态合金用于传感器的性能基础 | 第8-20页 |
·非晶态合金的基本性能 | 第8-13页 |
·非晶态合金的力学性能 | 第8-9页 |
·非晶态合金的化学性能 | 第9页 |
·非晶态合金的电学性能 | 第9-10页 |
·非晶态合金的磁学性能 | 第10-13页 |
·非晶态合金的磁—电变换功能 | 第13-17页 |
·法拉第电磁感应效应 | 第13-14页 |
·霍尔效应 | 第14-15页 |
·磁阻效应 | 第15页 |
·大Barkhausen 效应 | 第15-16页 |
·Matteucci 效应 | 第16-17页 |
·MI 效应 | 第17页 |
·非晶态合金传感器的基本组成要素 | 第17-20页 |
第3章 双MOS 管反相器磁场传感器 | 第20-36页 |
·双MOS 管反相器振荡电路 | 第20-22页 |
·双MOS 管反相器磁场传感器的整体设计 | 第22页 |
·传感机理 | 第22-26页 |
·实验曲线和数据 | 第26-32页 |
·输出曲线的后续调零放大处理 | 第32-35页 |
·小结 | 第35-36页 |
第4章 单MOS 管反相器磁场传感器 | 第36-44页 |
·单MOS 管反相器磁场传感器整体设计 | 第36-37页 |
·电路的工作原理 | 第37-38页 |
·实验内容与数据 | 第38-42页 |
·实验小结 | 第42-44页 |
第5章 总结与展望 | 第44-46页 |
·实验总结 | 第44页 |
·下一步工作设想 | 第44-46页 |
参考文献 | 第46-48页 |
致谢 | 第48-49页 |
摘要 | 第49-51页 |
ABSTRACT | 第51-53页 |