| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 本文研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 提高载流子自发辐射速率的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 谐振腔LED | 第12页 |
| 1.2.2 表面等离子体LED | 第12-13页 |
| 1.2.3 光子晶体LED | 第13-14页 |
| 1.3 GaN基光子晶体LED的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.1 光子晶体原理 | 第14页 |
| 1.3.2 光子晶体LED的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 1.4.1 存在问题及本文的提出 | 第15页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 光子晶体LED的Purcell效应和光萃取效率研究 | 第17-34页 |
| 2.1 理论基础 | 第17页 |
| 2.2 LED芯片仿真 | 第17-20页 |
| 2.2.1 模型建立 | 第17-18页 |
| 2.2.2 LED外延层仿真 | 第18-20页 |
| 2.3 正装光子晶体LED芯片的Purcell效应和光萃取效率研究 | 第20-27页 |
| 2.3.1 模型建立 | 第21页 |
| 2.3.2 不同介电常数材料的光子晶体 | 第21-24页 |
| 2.3.3 光子晶体占空比和高度对Purcell因子和LEE的影响 | 第24-27页 |
| 2.4 倒装光子晶体LED芯片的Purcell效应和光萃取效率研究 | 第27-32页 |
| 2.4.1 模型建立 | 第27-28页 |
| 2.4.2 光子晶体周期和占空比对Purcell效应和光萃取效率的影响 | 第28-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 GaN基光子晶体LED芯片的制备 | 第34-42页 |
| 3.1 GaN基光子晶体LED的制备流程 | 第34-36页 |
| 3.2 GaN基光子晶体LED制备的关键工艺 | 第36-39页 |
| 3.3 纳米压印胶的选择和优化 | 第39-40页 |
| 3.4 双层掩模法调节光子晶体结构占空比 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 GaN基光子晶体LED芯片的性能分析 | 第42-51页 |
| 4.1 GaN基光子晶体的性能表征 | 第42-46页 |
| 4.1.1 GaN基光子晶体的SEM形貌图 | 第42-45页 |
| 4.1.2 GaN基光子晶体拉曼散射谱分析 | 第45-46页 |
| 4.2 GaN基光子晶体LED荧光寿命测试 | 第46-49页 |
| 4.3 GaN基光子晶体LED的电学性能表征 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 附件 | 第62页 |
