| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 MoS_2的结构 | 第9-10页 |
| 1.3 MoS_2的光电性质 | 第10-12页 |
| 1.4 二维MoS_2的制备方法研究现状 | 第12-18页 |
| 1.4.1 热分解硫代钼酸盐法 | 第12-13页 |
| 1.4.2 硫化Mo(MoO_x)薄膜法 | 第13-14页 |
| 1.4.3 MoO_x粉体与硫属前驱体气相反应法 | 第14页 |
| 1.4.4 形核促进剂对MoS_2生长的促进作用 | 第14-17页 |
| 1.4.5 不同形貌二维MoS_2的生长 | 第17-18页 |
| 1.5 二维MoS_2在微电子器件的潜在应用 | 第18-22页 |
| 1.5.1 场效应晶体管 | 第18-19页 |
| 1.5.2 光电探测器 | 第19-20页 |
| 1.5.3 柔性电子器件 | 第20-21页 |
| 1.5.4 二维薄膜异质结器件 | 第21-22页 |
| 1.6 本课题主要研究内容、目的及意义 | 第22-23页 |
| 2 二维MoS_2的生长与表征 | 第23-31页 |
| 2.1 所需的技术和实验条件 | 第23-28页 |
| 2.1.1 薄膜制备技术 | 第23页 |
| 2.1.2 光刻技术 | 第23-24页 |
| 2.1.3 拉曼光谱测试 | 第24-27页 |
| 2.1.4 原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| 2.2 形核促进剂PTAS溶液的制备 | 第28-29页 |
| 2.3 衬底预处理 | 第29页 |
| 2.4 实验装置 | 第29-31页 |
| 3 二维MoS_2的生长调控与优化 | 第31-46页 |
| 3.1 形核促进剂的使用对MoS_2生长的影响 | 第32-34页 |
| 3.2 硫钼源的加载量对MoS_2生长的影响 | 第34-38页 |
| 3.3 生长时间对MoS_2生长的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 载气流量对MoS_2生长的影响 | 第40-42页 |
| 3.5 硫源引进时机对MoS_2生长的影响 | 第42-45页 |
| 3.6 小结 | 第45-46页 |
| 4 单层MoS_2的生长与机制 | 第46-52页 |
| 4.1 生长温度对二维MoS_2形貌尺寸的影响 | 第46-48页 |
| 4.2 硫钼源质量比对二维MoS_2形貌尺寸的影响 | 第48-50页 |
| 4.3 MoS_2薄膜生长机制 | 第50-51页 |
| 4.4 小结 | 第51-52页 |
| 5 单层MoS_2场效应管的制备及电子输运特性 | 第52-56页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 电极制备 | 第52-53页 |
| 5.3 单层MoS_2电子输运特性 | 第53-55页 |
| 5.4 小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |