| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 半导体材料简介 | 第11-13页 |
| 1.1.1 半导体材料的特性和参数 | 第11-12页 |
| 1.1.2 半导体材料的分类 | 第12页 |
| 1.1.3 常见的半导体材料制备方法 | 第12-13页 |
| 1.2 非线性光学及半导体材料的研究与发展 | 第13-16页 |
| 1.3 论文研究的意义与主要内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-19页 |
| 第二章 非线性光学以及半导体跃迁理论 | 第19-39页 |
| 2.1 非线性极化率 | 第19-20页 |
| 2.2 非线性极化率的起源 | 第20-21页 |
| 2.3 三阶非线性光学效应 | 第21-25页 |
| 2.4 三阶非线性光学系数的测量方法 | 第25-29页 |
| 2.5 半导体的带间跃迁理论介绍 | 第29-37页 |
| 2.5.1 导带底和价带顶位于波矢空间同一位置时的允许带间直接跃迁 | 第30-32页 |
| 2.5.2 禁戒的带间直接跃迁 | 第32-34页 |
| 2.5.3 导带底和价带顶位于波矢空间不同位置的带间直接跃迁 | 第34页 |
| 2.5.4 间接能带间的跃迁-带间间接跃迁 | 第34-36页 |
| 2.5.5 直接能带时的带间间接跃迁 | 第36-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 Z 扫描实验仪器介绍 | 第39-49页 |
| 3.1 Z 扫描技术的发展及应用 | 第39-40页 |
| 3.2 扫描实验系统简介 | 第40-47页 |
| 3.2.1 飞秒激光系统 | 第40-42页 |
| 3.2.2 皮秒激光系统 | 第42页 |
| 3.2.3 纳秒激光系统 | 第42-43页 |
| 3.2.4 步进电机系统 | 第43-44页 |
| 3.2.5 PerkinElmer 数字锁相放大器与斩波器 | 第44-46页 |
| 3.2.6 光电探测器 | 第46页 |
| 3.2.7 Z 扫描实验系统及软件系统 | 第46-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第四章 氮化铟薄膜的单光子吸收特性 | 第49-71页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 经典透射Z 扫描理论 | 第50-59页 |
| 4.2.1 引言 | 第50-52页 |
| 4.2.2 扫描理论基础 | 第52-58页 |
| 4.2.3 扫描试验修正及数据处理 | 第58-59页 |
| 4.3 实验装置与试验样品 | 第59-63页 |
| 4.3.1 实验装置 | 第59页 |
| 4.3.2 实验样品介绍 | 第59-63页 |
| 4.4 样品非均匀性、衬底等对实验的影响 | 第63页 |
| 4.5 532 nm 波长下氮化铟薄膜的非线性吸收特性 | 第63-67页 |
| 4.5.1 纳秒激光下的非线性光学吸收特性 | 第63-66页 |
| 4.5.2 皮秒激光下的非线性光学吸收特性 | 第66-67页 |
| 4.5.3 纳秒以及皮秒脉冲激发下的结果比较 | 第67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 第五章 InN 薄膜的双光子吸收特性及飞秒时间分辨泵浦探测 | 第71-82页 |
| 5.1 引言 | 第71-72页 |
| 5.2 泵浦-探测技术理论 | 第72-73页 |
| 5.3 实验装置及试验样品 | 第73-74页 |
| 5.4 实验结果及讨论 | 第74-79页 |
| 5.4.1 波长1064 nm 皮秒激光作用下的非线性光学吸收特性 | 第74-75页 |
| 5.4.2 皮秒脉冲激光作用下非线性光学吸收随功率的变化特性 | 第75-76页 |
| 5.4.3 波长800 nm 飞秒激光作用下的非线性光学吸收特性 | 第76-77页 |
| 5.4.4 飞秒激光作用下非线性光学吸收随入射光功率的变化特性 | 第77-79页 |
| 5.5 InN 薄膜在飞秒时间分辨下的泵浦-探测研究 | 第79-80页 |
| 5.6 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-82页 |
| 第六章 总结 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第84-87页 |
| 上海交通大学硕士学位论文答辩决议书 | 第87页 |
