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半导体氮化铟薄膜非线性光学吸收性质的研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-7页
目录第8-11页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 半导体材料简介第11-13页
        1.1.1 半导体材料的特性和参数第11-12页
        1.1.2 半导体材料的分类第12页
        1.1.3 常见的半导体材料制备方法第12-13页
    1.2 非线性光学及半导体材料的研究与发展第13-16页
    1.3 论文研究的意义与主要内容第16-18页
    参考文献第18-19页
第二章 非线性光学以及半导体跃迁理论第19-39页
    2.1 非线性极化率第19-20页
    2.2 非线性极化率的起源第20-21页
    2.3 三阶非线性光学效应第21-25页
    2.4 三阶非线性光学系数的测量方法第25-29页
    2.5 半导体的带间跃迁理论介绍第29-37页
        2.5.1 导带底和价带顶位于波矢空间同一位置时的允许带间直接跃迁第30-32页
        2.5.2 禁戒的带间直接跃迁第32-34页
        2.5.3 导带底和价带顶位于波矢空间不同位置的带间直接跃迁第34页
        2.5.4 间接能带间的跃迁-带间间接跃迁第34-36页
        2.5.5 直接能带时的带间间接跃迁第36-37页
    2.6 本章小结第37-38页
    参考文献第38-39页
第三章 Z 扫描实验仪器介绍第39-49页
    3.1 Z 扫描技术的发展及应用第39-40页
    3.2 扫描实验系统简介第40-47页
        3.2.1 飞秒激光系统第40-42页
        3.2.2 皮秒激光系统第42页
        3.2.3 纳秒激光系统第42-43页
        3.2.4 步进电机系统第43-44页
        3.2.5 PerkinElmer 数字锁相放大器与斩波器第44-46页
        3.2.6 光电探测器第46页
        3.2.7 Z 扫描实验系统及软件系统第46-47页
    3.3 本章小结第47-48页
    参考文献第48-49页
第四章 氮化铟薄膜的单光子吸收特性第49-71页
    4.1 引言第49-50页
    4.2 经典透射Z 扫描理论第50-59页
        4.2.1 引言第50-52页
        4.2.2 扫描理论基础第52-58页
        4.2.3 扫描试验修正及数据处理第58-59页
    4.3 实验装置与试验样品第59-63页
        4.3.1 实验装置第59页
        4.3.2 实验样品介绍第59-63页
    4.4 样品非均匀性、衬底等对实验的影响第63页
    4.5 532 nm 波长下氮化铟薄膜的非线性吸收特性第63-67页
        4.5.1 纳秒激光下的非线性光学吸收特性第63-66页
        4.5.2 皮秒激光下的非线性光学吸收特性第66-67页
        4.5.3 纳秒以及皮秒脉冲激发下的结果比较第67页
    4.6 本章小结第67-68页
    参考文献第68-71页
第五章 InN 薄膜的双光子吸收特性及飞秒时间分辨泵浦探测第71-82页
    5.1 引言第71-72页
    5.2 泵浦-探测技术理论第72-73页
    5.3 实验装置及试验样品第73-74页
    5.4 实验结果及讨论第74-79页
        5.4.1 波长1064 nm 皮秒激光作用下的非线性光学吸收特性第74-75页
        5.4.2 皮秒脉冲激光作用下非线性光学吸收随功率的变化特性第75-76页
        5.4.3 波长800 nm 飞秒激光作用下的非线性光学吸收特性第76-77页
        5.4.4 飞秒激光作用下非线性光学吸收随入射光功率的变化特性第77-79页
    5.5 InN 薄膜在飞秒时间分辨下的泵浦-探测研究第79-80页
    5.6 本章小结第80-81页
    参考文献第81-82页
第六章 总结第82-83页
致谢第83-84页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第84-87页
上海交通大学硕士学位论文答辩决议书第87页

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