| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-27页 |
| 1.1 课题的提出和研究目的 | 第16-17页 |
| 1.2 电磁屏蔽研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第18-23页 |
| 1.4 论文的研究内容及创新点 | 第23-26页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第23-25页 |
| 1.4.2 创新点 | 第25-26页 |
| 1.5 论文的结构安排 | 第26-27页 |
| 第二章 理论基础 | 第27-44页 |
| 2.1 电磁场基本理论概述 | 第27-31页 |
| 2.1.1 Maxwell方程 | 第27-28页 |
| 2.1.2 本构关系 | 第28-29页 |
| 2.1.3 媒质表面边界条件 | 第29页 |
| 2.1.4 时谐电磁场 | 第29页 |
| 2.1.5 静电场与静磁场 | 第29页 |
| 2.1.6 矢量波动方程 | 第29-30页 |
| 2.1.7 辐射边界条件 | 第30页 |
| 2.1.8 高频传输线 | 第30-31页 |
| 2.1.8.1 传输线方程 | 第30-31页 |
| 2.1.8.2 带负载无耗传输线 | 第31页 |
| 2.2 时域传输线矩阵法 | 第31-39页 |
| 2.2.1 基本原理 | 第31-34页 |
| 2.2.2 波的TLM表示 | 第34-35页 |
| 2.2.3 对称凝缩节点 | 第35-38页 |
| 2.2.4 TLM的求解步骤 | 第38-39页 |
| 2.3 电磁屏蔽原理 | 第39-44页 |
| 2.3.1 屏蔽效果的定量评价 | 第39-40页 |
| 2.3.2 电磁屏蔽的干扰源 | 第40页 |
| 2.3.3 全屏蔽屏蔽效能的计算 | 第40-44页 |
| 2.3.3.1 吸收损耗A | 第41-42页 |
| 2.3.3.2 反射损耗R | 第42-43页 |
| 2.3.3.3 多次反射损耗B | 第43页 |
| 2.3.3.4 非理想屏蔽结构 | 第43-44页 |
| 第三章 屏蔽效能计算的解析法研究 | 第44-59页 |
| 3.1 带孔缝矩形屏蔽腔 | 第44-54页 |
| 3.1.1 Robinson模型 | 第44-46页 |
| 3.1.2 Farhana模型 | 第46-48页 |
| 3.1.3 Dan模型 | 第48-49页 |
| 3.1.4 波导隔膜模型 | 第49-54页 |
| 3.1.4.1 波导隔膜理论 | 第50-51页 |
| 3.1.4.2 孔处于面板中央 | 第51-53页 |
| 3.1.4.3 孔处于偏置位置 | 第53-54页 |
| 3.1.4.4 高次模式 | 第54页 |
| 3.2 带孔阵矩形屏蔽腔 | 第54-57页 |
| 3.2.1 Dehkhoda模型 | 第54-55页 |
| 3.2.2 Chen模型 | 第55-56页 |
| 3.2.3 模型验证 | 第56-57页 |
| 3.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 带孔缝屏蔽腔屏蔽设计方法及实验研究 | 第59-82页 |
| 4.1 带孔缝屏蔽腔辐射的理论分析 | 第59-63页 |
| 4.2 带孔缝屏蔽腔的谐振 | 第63-64页 |
| 4.2.1 腔体谐振 | 第63-64页 |
| 4.2.2 孔缝谐振 | 第64页 |
| 4.2.3 腔体—孔缝耦合谐振 | 第64页 |
| 4.2.4 腔体—源耦合谐振 | 第64页 |
| 4.3 带孔缝屏蔽腔屏蔽性能分析 | 第64-72页 |
| 4.3.1 缝隙屏蔽结构 | 第65页 |
| 4.3.2 计算设置 | 第65-67页 |
| 4.3.2.1 TLM时间步 | 第65-66页 |
| 4.3.2.2 TLM网格信息 | 第66页 |
| 4.3.2.3 传输功率与三米远电场 | 第66-67页 |
| 4.3.3 计算结果与分析 | 第67-72页 |
| 4.3.3.1 计算结果验证 | 第67-68页 |
| 4.3.3.2 缝隙长度对谐振的影响 | 第68-69页 |
| 4.3.3.3 缝隙位置对谐振的影响 | 第69页 |
| 4.3.3.4 缝隙宽度对谐振的影响 | 第69-70页 |
| 4.3.3.5 干扰源特性对谐振的影响 | 第70-71页 |
| 4.3.3.6 损耗材料对谐振的影响 | 第71-72页 |
| 4.3.3.7 腔体尺寸对谐振的影响 | 第72页 |
| 4.4 主动屏蔽与被动屏蔽 | 第72-73页 |
| 4.5 内部源激励下机箱屏蔽分析及测试 | 第73-80页 |
| 4.5.1 几何建模与网格剖分 | 第73-74页 |
| 4.5.2 仿真计算 | 第74-77页 |
| 4.5.2.1 求解设置 | 第74-75页 |
| 4.5.2.2 屏蔽特性仿真分析 | 第75-77页 |
| 4.5.3 实验分析 | 第77-80页 |
| 4.6 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 带孔阵屏蔽腔屏蔽设计方法及实验研究 | 第82-103页 |
| 5.1 带孔阵屏蔽腔屏蔽性能分析 | 第82-95页 |
| 5.1.1 对比验证 | 第82-84页 |
| 5.1.2 孔阵模型 | 第84-86页 |
| 5.1.3 干扰波性质 | 第86-91页 |
| 5.1.3.1 干扰波极化方向 | 第87-88页 |
| 5.1.3.2 干扰波入射方向 | 第88-91页 |
| 5.1.4 孔参数 | 第91-94页 |
| 5.1.4.1 孔间距 | 第91-93页 |
| 5.1.4.2 孔形状 | 第93-94页 |
| 5.1.5 讨论 | 第94-95页 |
| 5.2 平面波激励下机箱屏蔽分析及测试 | 第95-102页 |
| 5.2.1 几何建模与网格剖分 | 第96页 |
| 5.2.2 仿真计算 | 第96-99页 |
| 5.2.2.1 求解设置 | 第96-97页 |
| 5.2.2.2 屏蔽特性仿真分析 | 第97-99页 |
| 5.2.3 实验分析 | 第99-102页 |
| 5.3 本章小结 | 第102-103页 |
| 第六章 基于FETD的屏蔽建模与分析方法研究 | 第103-122页 |
| 6.1 时域有限元法 | 第103-111页 |
| 6.1.1 基本原理 | 第103-105页 |
| 6.1.2 三维矢量基函数 | 第105-109页 |
| 6.1.3 吸收边界条件 | 第109-110页 |
| 6.1.4 波导边界条件 | 第110页 |
| 6.1.5 集总电阻模型 | 第110-111页 |
| 6.2 FETD建模理论 | 第111-113页 |
| 6.2.1 FETD流程 | 第111-112页 |
| 6.2.2 建模的一般步骤 | 第112页 |
| 6.2.3 建模的一般原则 | 第112-113页 |
| 6.2.3.1 保证计算精度 | 第112-113页 |
| 6.2.3.2 控制模型规模 | 第113页 |
| 6.3 数值结果 | 第113-121页 |
| 6.3.1 屏蔽结构 | 第113-114页 |
| 6.3.2 屏蔽分析的FETD | 第114-115页 |
| 6.3.3 计算配置 | 第115-117页 |
| 6.3.3.1 FETD参数配置 | 第115-116页 |
| 6.3.3.2 FETD网格配置 | 第116-117页 |
| 6.3.4 计算结果与分析 | 第117-121页 |
| 6.3.4.1 结果验证 | 第117-119页 |
| 6.3.4.2 带孔阵屏蔽腔的辐射特性 | 第119-121页 |
| 6.3.4.3 频率的影响 | 第121页 |
| 6.4 本章小结 | 第121-122页 |
| 第七章 基于FETD和PRONY法的强谐振结构屏蔽分析方法研究 | 第122-133页 |
| 7.1 扩展Prony外推算法 | 第123-125页 |
| 7.2 结果分析与验证 | 第125-130页 |
| 7.2.1 外推必要性的说明 | 第125-126页 |
| 7.2.2 外推过程 | 第126-128页 |
| 7.2.3 验证 | 第128-130页 |
| 7.3 外推效率 | 第130-131页 |
| 7.4 讨论 | 第131-132页 |
| 7.5 本章小结 | 第132-133页 |
| 第八章 基于GPU加速FETD的屏蔽分析方法研究 | 第133-149页 |
| 8.1 GPU与CUDA架构 | 第134-136页 |
| 8.2 ILU预条件 | 第136页 |
| 8.3 GPU加速组装集成 | 第136-142页 |
| 8.3.1 传统CPU算法的瓶颈 | 第137-138页 |
| 8.3.2 线程对应于单元 | 第138页 |
| 8.3.3 线程对应于棱边 | 第138-140页 |
| 8.3.4 线程对应于未知量——多GPU | 第140-142页 |
| 8.4 GPU加速求解器 | 第142-143页 |
| 8.5 GPU加速比 | 第143-147页 |
| 8.5.1 计算环境 | 第144页 |
| 8.5.2 带孔缝屏蔽腔计算的加速比 | 第144-145页 |
| 8.5.3 带孔阵屏蔽腔计算的加速比 | 第145-147页 |
| 8.5.4 不同ILU参数组合的效果 | 第147页 |
| 8.6 本章小结 | 第147-149页 |
| 第九章 全文总结与展望 | 第149-152页 |
| 9.1 全文总结 | 第149-151页 |
| 9.2 后续展望 | 第151-152页 |
| 致谢 | 第152-153页 |
| 参考文献 | 第153-164页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第164-166页 |