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基于TaN薄膜的研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 研究目的与意义第11-13页
    1.2 TaN薄膜材料和微波负载第13-15页
    1.3 国内外研究概况第15-18页
        1.3.1 国外研究概况第15-17页
        1.3.2 国内研究概况第17-18页
    1.4 选题依据和研究内容第18-19页
        1.4.1 选题依据第18页
        1.4.2 研究内容第18-19页
第二章 TaN薄膜制作工艺和性能分析第19-39页
    2.1 薄膜工艺与测试理论介绍第19-26页
        2.1.1 磁控溅射技术简介第19-20页
        2.1.2 薄膜生成理论第20-23页
        2.1.3 薄膜测试简介第23-25页
        2.1.4 薄膜制备实验流程介绍第25-26页
    2.2 溅射工艺参数对薄膜性能的影响第26-38页
        2.2.1 溅射气压对薄膜性能影响第26-29页
        2.2.2 溅射时间对薄膜性能影响第29-31页
        2.2.3 氮分压对薄膜性能影响第31-34页
        2.2.4 靶基距离与薄膜性能的关系第34-36页
        2.2.5 溅射功率与薄膜性能的关系第36-38页
    2.3 本章小结第38-39页
第三章 TaN薄膜微波负载的制作与测试第39-57页
    3.1 微波负载理论基础第39-45页
        3.1.1 端接负载的无耗传输线理论第39-42页
        3.1.2 微带线理论第42-45页
    3.2 微波负载的软件仿真第45-48页
        3.2.1 仿真软件及流程介绍第45-46页
        3.2.2 仿真结果及分析第46-48页
    3.3 微波负载的实际制作第48-52页
        3.3.1 匹配电极的制作第49-50页
        3.3.2 TaN电阻薄膜制作第50-51页
        3.3.3 切片及地电极处理第51-52页
    3.4 微波负载的性能测试第52-56页
        3.4.1 频率性能指标测试第52-55页
        3.4.2 功率性能测试第55-56页
    3.5 本章小结第56-57页
第四章 AlN薄膜缓冲层对功率性能的改善第57-66页
    4.1 AlN材料及实验制备第57-59页
    4.2 热导理论基础简介第59-60页
    4.3 AlN薄膜缓冲层对于表面形貌结构的改善第60-65页
        4.3.1 缓冲层相结构表征及缓冲层薄膜生长速度分析第61-62页
        4.3.2 AlN缓冲层对基片表面特性的改善第62-64页
        4.3.3 AlN缓冲层对TaN电阻薄膜表面特性的改善第64-65页
    4.4 AlN薄膜缓冲层对于功率性能的改善第65页
    4.5 本章小结第65-66页
第五章 微带隔离器的制作与测试第66-79页
    5.1 微带环行器理论基础第66-73页
        5.1.1 环行器场理论第66-70页
        5.1.2 Y结环行器设计第70-73页
    5.2 隔离器的仿真第73-76页
        5.2.1 环行器仿真第73-74页
        5.2.2 隔离器仿真第74-76页
    5.3 隔离器的制作和测试第76-78页
    5.4 本章小结第78-79页
第六章 结论第79-82页
致谢第82-83页
参考文献第83-87页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第87-88页

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