中文摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6页 |
1. 绪论 | 第10-21页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 太阳能电池简介 | 第10-12页 |
1.2.1 太阳能电池工作原理 | 第10-11页 |
1.2.2 太阳能电池的种类及特点 | 第11-12页 |
1.3 CIS类薄膜太阳能电池 | 第12-15页 |
1.3.1 CIS的晶体结构 | 第12-13页 |
1.3.2 CIS薄膜材料特性 | 第13-14页 |
1.3.3 CIS薄膜太阳电池能结构 | 第14-15页 |
1.4 CIAS薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
1.4.1 四源共蒸法 | 第15-16页 |
1.4.2 金属预制层硒化法 | 第16-17页 |
1.4.3 电化学沉积法 | 第17页 |
1.4.4 化学水浴沉积(CBD)法 | 第17页 |
1.4.5 墨水涂覆法 | 第17页 |
1.5 有机/无机复合钙钛矿材料 | 第17-20页 |
1.5.1 钙钛矿的晶体结构 | 第17-18页 |
1.5.2 钙钛矿太阳能电池的电池结构 | 第18-19页 |
1.5.3 钙钛矿薄膜的制备方法 | 第19页 |
1.5.4 钙钛矿太阳能电池的研究进展 | 第19-20页 |
1.6 研究内容及意义 | 第20-21页 |
1.6.1 研究内容 | 第20页 |
1.6.2 研究意义 | 第20-21页 |
2. 实验原料及设备 | 第21-31页 |
2.1 实验原料及试剂 | 第21页 |
2.2 实验设备 | 第21-25页 |
2.2.1 真空蒸发镀膜设备 | 第21-23页 |
2.2.2 真空硒化退火设备 | 第23-24页 |
2.2.3 旋涂实验设备 | 第24-25页 |
2.3 检测设备 | 第25-31页 |
2.3.1 薄膜厚度测试-台阶仪 | 第25-26页 |
2.3.2 薄膜的晶体结构分析-XRD | 第26-27页 |
2.3.3 薄膜的表面形貌分析-SEM | 第27-28页 |
2.3.4 薄膜的成分分析-EDS | 第28页 |
2.3.5 薄膜电学性能测试-霍尔效应仪 | 第28-29页 |
2.3.6 薄膜光学性能测试-紫外—可见—近红外分光光度计 | 第29-31页 |
3. 真空蒸发法制备低含氧量CIAS薄膜 | 第31-40页 |
3.1 真空蒸发原理 | 第31页 |
3.2 真空蒸发镀膜工艺探究 | 第31-33页 |
3.2.1 CIA金属预制层的制备 | 第31-32页 |
3.2.2 CIA金属预制层的硒化退火处理 | 第32-33页 |
3.3 硒化退火温不同的CIAS薄膜表面形貌分析 | 第33页 |
3.4 硒化退火温度不同的CIAS薄膜的成分分析 | 第33-34页 |
3.5 硒化退火温度不同的CIAS薄膜晶体结构分析 | 第34-36页 |
3.6 CIAS薄膜的厚度测试 | 第36页 |
3.7 硒化退火温度不同的CIAS薄膜的电学性能测试 | 第36-37页 |
3.8 硒化退火温度不同的CIAS薄膜的光学性能测试 | 第37-39页 |
3.9 本章小结 | 第39-40页 |
4. CH_3NH_3PbI_3钙钛矿太阳能电池吸收层薄膜的制备工艺探索 | 第40-54页 |
4.1 蒸镀-浸泡两步法制备CH_3NH_3PbI_3薄膜 | 第40-46页 |
4.1.1 甲胺铅碘(CH_3NH_3PbI_3)薄膜的蒸镀-浸泡两步法制备工艺与过程 | 第40-41页 |
4.1.2 不同浸泡时间CH_3NH_3PbI_3薄膜的XRD分析 | 第41-42页 |
4.1.3 两步法蒸镀-浸泡制备的CH_3NH_3PbI_3薄膜的表面形貌 | 第42-43页 |
4.1.4 不同浸泡时间的CH_3NH_3PbI_3薄膜的电学性能和膜厚 | 第43-44页 |
4.1.5 不同浸泡时间的CH_3NH_3PbI_3薄膜的透光率 | 第44-46页 |
4.2 一步法制备CH_3NH_3PbI_3薄膜 | 第46-53页 |
4.2.1 CH_3NH_3PbI_3薄膜的一步法制备工艺与过程 | 第46页 |
4.2.2 一步法合成CH_3NH_3PbI_3薄膜厚度的测量 | 第46-47页 |
4.2.3 一步法合成CH_3NH_3PbI_3薄膜透光性能 | 第47-49页 |
4.2.4 一步法合成的CH_3NH_3PbI_3薄膜的XRD分析 | 第49-51页 |
4.2.5 CH_3NH_3PbI_3薄膜的表面形貌分析 | 第51-52页 |
4.2.6 CH_3NH_3PbI_3薄膜的电学性能 | 第52-53页 |
4.3 本章小结 | 第53-54页 |
5. 结论 | 第54-55页 |
6. 后续研究的建议 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
作者简介 | 第61页 |