| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 氧化物薄膜晶体管的器件结构介绍 | 第12-14页 |
| 1.2.1 刻蚀阻挡层（ESL）结构 | 第13页 |
| 1.2.2 背沟道刻蚀（BCE）结构 | 第13-14页 |
| 1.3 氧化物薄膜晶体管的性能参数及其提取方法介绍 | 第14-17页 |
| 1.3.1 开态电流（Ion）、关态电流（Ioff）和开关电流比（Ion / Ioff） | 第14-15页 |
| 1.3.2 迁移率（μ） | 第15页 |
| 1.3.3 亚阈值摆幅（SS） | 第15页 |
| 1.3.4 阈值电压（Vth）、开启电压（Von） | 第15-16页 |
| 1.3.5 金属半导体接触电阻 | 第16-17页 |
| 1.4 氧化物薄膜晶体管的材料与器件介绍 | 第17-21页 |
| 1.4.1 有源层 | 第17-20页 |
| 1.4.2 绝缘层与钝化层 | 第20-21页 |
| 1.4.3 电极材料 | 第21页 |
| 1.5 本论文的工作 | 第21-23页 |
| 第二章 引入碳膜刻蚀缓冲层的BCE结构的氧化物TFT | 第23-34页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 TFT器件的制备 | 第23-24页 |
| 2.3 碳膜的性能和对有源层的保护效果 | 第24-29页 |
| 2.4 TFT器件的性能和稳定性 | 第29-31页 |
| 2.5 Mo/C/a-IZO的接触电阻及TFT的界面分析 | 第31-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 使用双氧水刻蚀Mo S/D电极的BCE结构的氧化物TFT | 第34-41页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 刻蚀条件对刻蚀速率和刻蚀选择比的影响 | 第35-37页 |
| 3.3 TFT器件的制备 | 第37-38页 |
| 3.4 S/D电极刻蚀过程对TFT器件性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 使用双氧水基刻蚀液刻蚀Cu S/D电极的BCE结构的氧化物TFT | 第41-58页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 Cu膜的制备与表征 | 第42-45页 |
| 4.3 Cu膜的图形化 | 第45-47页 |
| 4.4 使用Cu S/D电极的氧化物TFT的前期工艺验证 | 第47-49页 |
| 4.5 TFT器件的制备方法 | 第49-51页 |
| 4.6 TFT器件的性能和稳定性 | 第51-53页 |
| 4.7 Cu/a-IZO的界面分析和TFT器件性能的改善机制 | 第53-56页 |
| 4.8 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 基于结晶InGaO有源层的BCE结构TFT | 第58-69页 |
| 5.1 引言 | 第58页 |
| 5.2 Ga的含量对InGaO薄膜性能的影响 | 第58-64页 |
| 5.3 基于结晶InGaO有源层的BCE-TFT | 第64-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 用作顶发射OLED反射阳极的Ag/IZO复合薄膜 | 第69-82页 |
| 6.1 引言 | 第69-70页 |
| 6.2 Ag膜和IZO膜的制备 | 第70-72页 |
| 6.3 IZO的厚度对Ag/IZO复合薄膜性能的影响 | 第72-75页 |
| 6.4 Ag/IZO作为顶发射OLED反射电极的可行性 | 第75-79页 |
| 6.5 Ag/IZO作为阳极的顶发射TOLED | 第79-81页 |
| 6.6 本章小结 | 第81-82页 |
| 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-99页 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 附件 | 第102页 |
