| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 纳米科技的基本概念 | 第11-12页 |
| 1.3 纳米材料的基本特性 | 第12-13页 |
| 1.3.1 小尺寸效应 | 第12页 |
| 1.3.2 量子尺寸效应 | 第12-13页 |
| 1.3.3 介电限域效应 | 第13页 |
| 1.3.4 表面效应 | 第13页 |
| 1.4 纳米光学材料的研究 | 第13-14页 |
| 1.5 稀土纳米荧光粉的光学性质 | 第14-17页 |
| 1.5.1 稀土离子发光理论基础 | 第14页 |
| 1.5.2 黄色荧光粉 | 第14-16页 |
| 1.5.3 红色荧光粉 | 第16-17页 |
| 1.6 二维纳米层状半导体材料的光学性质研究 | 第17-18页 |
| 1.7 本文研究的内容和目的 | 第18-21页 |
| 1.7.1 本文的主要研究目的和意义 | 第18-19页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 实验部分 | 第21-32页 |
| 2.1 实验药品及仪器设备 | 第21-23页 |
| 2.1.1 实验所用到的药品 | 第21-22页 |
| 2.1.2 实验所用到的仪器设备 | 第22-23页 |
| 2.2 稀土纳米颗粒与二维纳米层状材料的制备方法 | 第23-24页 |
| 2.2.1 固相法 | 第23页 |
| 2.2.2 水热法 | 第23-24页 |
| 2.2.3 化学气相沉积法(CVD) | 第24页 |
| 2.3 稀土纳米颗粒与二维纳米层状材料的表征方法 | 第24-32页 |
| 2.3.1 X射线衍射光谱分析仪(XRD) | 第24-25页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第26-27页 |
| 2.3.4 原子力显微镜(AFM) | 第27页 |
| 2.3.5 卡尔蔡司光学显微镜 | 第27-28页 |
| 2.3.6 近场光学显微镜 | 第28-29页 |
| 2.3.7 氩离子激光器 | 第29页 |
| 2.3.8 冷阱 | 第29-30页 |
| 2.3.9 激光打标机 | 第30-31页 |
| 2.3.10 紫外可见分光光度计 | 第31-32页 |
| 第三章 YAG：Ce(5%)的水热合成及发光性质研究 | 第32-42页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 YAG：Ce(5%)样品制备与表征手段 | 第33-34页 |
| 3.3 后续处理对发光性质影响的结果和讨论 | 第34-40页 |
| 3.3.1 晶体YAG：Ce(5%)的结构 | 第34-35页 |
| 3.3.2 YAG：Ce(5%)的微结构分析 | 第35-37页 |
| 3.3.3 不同水热反应时间制备的样品的发光特性 | 第37-38页 |
| 3.3.4 后续退火对YAG：Ce(5%)光致发光特性的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.5 水热制备的YAG：Ce与固相法制备的样品发光特性的对比 | 第40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 多壁碳纳米管和pH值对YBO_3：Eu(5%)的形貌和发光的协同效应 | 第42-49页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 样品制备与表征手段 | 第42-43页 |
| 4.3 后续处理对发光性质的影响 | 第43-48页 |
| 4.3.1 所有样品的结构分析 | 第43-44页 |
| 4.3.2 所有样品的形貌和微结构分析 | 第44-45页 |
| 4.3.3 所有样品的光学特性分析 | 第45-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 不同衬底上单层MoSe_2光学特性的研究 | 第49-61页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 MoSe_2制备与表征方法 | 第49-52页 |
| 5.3 单层MoSe_2形貌与结构分析 | 第52页 |
| 5.4 光学性质的表征结果和讨论 | 第52-60页 |
| 5.4.1 样品边缘发光增强特性与讨论 | 第52-55页 |
| 5.4.2 不同衬底上样品的光学性质与讨论 | 第55-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第72页 |
