高灵敏度共振隧穿二极管探测器的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 常见光电探测器 | 第12-15页 |
| 1.2.1 光电倍增管 | 第12-13页 |
| 1.2.2 雪崩二极管 | 第13-14页 |
| 1.2.3 pin光电二极管 | 第14-15页 |
| 1.3 共振隧穿二极管探测器 | 第15-25页 |
| 1.3.1 RTD结构 | 第17-18页 |
| 1.3.2 RTD工作原理 | 第18-23页 |
| 1.3.3 RTD-PD工作原理 | 第23-25页 |
| 1.4 RTD-PD研究历史及研究现状 | 第25-31页 |
| 1.4.1 RTD-PD研究历史 | 第25-28页 |
| 1.4.2 RTD-PD研究现状 | 第28-31页 |
| 1.5 本论文研究目的 | 第31-33页 |
| 第二章 外延薄膜生长原理及性能表征 | 第33-42页 |
| 2.1 RTD-PD结构生长 | 第33-38页 |
| 2.1.1 分子束外延系统 | 第33-36页 |
| 2.1.2 外延材料生长原理 | 第36-38页 |
| 2.2 外延材料与探测器性能表征 | 第38-41页 |
| 2.2.1 外延材料表征 | 第38-39页 |
| 2.2.2 探测器性能表征 | 第39-41页 |
| 2.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 器件模拟 | 第42-49页 |
| 3.1 Silvaco TCAD | 第42-43页 |
| 3.2 结构设定 | 第43-44页 |
| 3.3 器件建模与仿真 | 第44-45页 |
| 3.3.1 结构定义 | 第44页 |
| 3.3.2 材料模型设定 | 第44-45页 |
| 3.3.3 数值模拟方法选择 | 第45页 |
| 3.3.4 特性获取 | 第45页 |
| 3.3.5 结果分析 | 第45页 |
| 3.4 仿真结果与分析 | 第45-48页 |
| 3.4.1 不同形式掺杂时的电流抑制 | 第45-46页 |
| 3.4.2 不同浓度掺杂时的电流抑制 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 RTD-PD外延生长及工艺流程设计 | 第49-59页 |
| 4.1 RTD-PD外延生长 | 第49-52页 |
| 4.2 RTD-PD工艺制备 | 第52-55页 |
| 4.2.1 光刻技术 | 第52-53页 |
| 4.2.2 图形转移技术 | 第53-55页 |
| 4.3 工艺制备流程设计 | 第55-58页 |
| 4.3.1 单台面结构工艺流程 | 第55-56页 |
| 4.3.2 双台面结构工艺流程 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 单台面结构RTD-PD制备 | 第59-73页 |
| 5.1 单台面结构RTD-PD外延结构设计 | 第59-60页 |
| 5.1.1 具有InAs空穴堆积层外延结构设计 | 第59-60页 |
| 5.1.2 双势垒结构p型掺杂的外延结构设计 | 第60页 |
| 5.2 单台面结构RTD-PD工艺制备 | 第60-66页 |
| 5.3 器件结果与分析 | 第66-71页 |
| 5.3.1 电学性质测试分析 | 第66-68页 |
| 5.3.2 光电响应测试分析 | 第68-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第六章 双台面结构RTD-PD制备 | 第73-84页 |
| 6.1 双台面结构RTD-PD外延结构设计 | 第73页 |
| 6.2 双台面结构RTD-PD工艺制备 | 第73-80页 |
| 6.3 器件结果与分析 | 第80-83页 |
| 6.3.1 电学性质测试分析 | 第80-81页 |
| 6.3.2 光电响应测试分析 | 第81-83页 |
| 6.4 本章小结 | 第83-84页 |
| 第七章 总结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 攻读学位期间发表的论文及专利 | 第92-93页 |
