| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-38页 |
| ·前言 | 第16页 |
| ·电子封装材料 | 第16-24页 |
| ·电子封装的重要性 | 第16-17页 |
| ·电子封装材料的性能要求 | 第17-18页 |
| ·电子封装材料的性能表征 | 第18-23页 |
| ·电子封装的功能 | 第23-24页 |
| ·负热膨胀系数材料ZrW_2O_8的概述 | 第24-31页 |
| ·ZrW_2O_8的结构特征 | 第24-25页 |
| ·ZrW_2O_8的性质 | 第25-26页 |
| ·ZrW_2O_8的负热膨胀机理 | 第26-29页 |
| ·ZrW_2O_8的制备方法 | 第29-30页 |
| ·ZrW_2O_8的研究现状及其应用前景 | 第30-31页 |
| ·聚酰亚胺材料 | 第31-35页 |
| ·聚酰亚胺的结构及性能特点 | 第31-33页 |
| ·低热膨胀系数的聚酰亚胺材料 | 第33-34页 |
| ·低介电聚酰亚胺材料 | 第34-35页 |
| ·论文的研究意义及主要内容 | 第35-38页 |
| 第二章 原料ZrW_2O_8的制备 | 第38-48页 |
| ·前言 | 第38页 |
| ·固相合成法 | 第38-39页 |
| ·实验部分 | 第39-42页 |
| ·实验原料及仪器 | 第39页 |
| ·直接固相法合成ZrW_2O_8的工艺 | 第39-41页 |
| ·分步固相法合成ZrW_2O_8的工艺 | 第41-42页 |
| ·ZrW_2O_8的改性 | 第42页 |
| ·实验结果与讨论 | 第42-46页 |
| ·产物的物相分析 | 第42-43页 |
| ·产物的形貌分析 | 第43-44页 |
| ·ZrW_2O_8的热膨胀性能分析 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 ZrW_2O_8/PI复合薄膜的制备及性能的研究 | 第48-66页 |
| ·前言 | 第48页 |
| ·实验部分 | 第48-51页 |
| ·实验原料 | 第48-49页 |
| ·实验仪器 | 第49页 |
| ·ZrW_2O_8/PI复合薄膜的制备工艺 | 第49-50页 |
| ·表征方法 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-64页 |
| ·ZrW_2O_8/PI复合薄膜的扫描电镜(SEM)分析 | 第51-52页 |
| ·傅立叶红外光谱(FTIR)分析 | 第52-54页 |
| ·ZrW_2O_8/PI复合薄膜的热膨胀性能 | 第54-56页 |
| ·ZrW_2O_8/PI复合薄膜的介电性能研究 | 第56-60页 |
| ·ZrW_2O_8/PI复合薄膜的热稳定性 | 第60-62页 |
| ·ZrW_2O_8/PI复合薄膜的力学性能研究 | 第62页 |
| ·改性ZrW_2O_8/PI复合薄膜的性能研究 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 n-SiC/PI复合薄膜的制备及性能的研究 | 第66-80页 |
| ·前言 | 第66页 |
| ·实验部分 | 第66-70页 |
| ·实验原料 | 第66-67页 |
| ·实验仪器 | 第67页 |
| ·SiC纳米粒子的热膨胀性能研究 | 第67-68页 |
| ·n-SiC/PI复合薄膜的制备工艺 | 第68-69页 |
| ·表征方法 | 第69-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-78页 |
| ·n-SiC/PI复合薄膜的扫描电镜(SEM)分析 | 第70-71页 |
| ·傅立叶红外光谱(FTIR)分析 | 第71页 |
| ·n-SiC/PI复合薄膜的热膨胀性能 | 第71-73页 |
| ·n-SiC/PI复合薄膜的介电性能研究 | 第73-77页 |
| ·n-SiC/PI复合薄膜的热稳定性 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第五章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第90-92页 |
| 作者和导师简介 | 第92-93页 |
| 附录 | 第93-94页 |
