低功耗高稳定性无片外电容型CMOS LDO的研究与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文的主要工作及论文结构 | 第12-13页 |
| 第二章 LDO基础理论 | 第13-28页 |
| 2.1 LDO的基本结构与原理 | 第13-15页 |
| 2.2 LDO性能参数 | 第15-24页 |
| 2.2.1直流特性参数 | 第16-20页 |
| 2.2.2 瞬态特性参数 | 第20-22页 |
| 2.2.3 交流特性参数 | 第22-24页 |
| 2.3 无片外电容LDO的系统分析 | 第24-27页 |
| 2.3.1 瞬态响应分析 | 第25页 |
| 2.3.2 频率响应分析 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 基于FVF的无片外电容LDO设计 | 第28-40页 |
| 3.1 LDO的应用环境 | 第28页 |
| 3.2 FVF-LDO的基本结构 | 第28-29页 |
| 3.3 FVF-LDO的改进方案 | 第29-34页 |
| 3.3.1 调整性能改善 | 第29-30页 |
| 3.3.2 频率特性改善 | 第30-33页 |
| 3.3.3 瞬态特性改善 | 第33-34页 |
| 3.4 FVF-LDO的设计 | 第34-39页 |
| 3.4.1 偏置电路设计 | 第34-38页 |
| 3.4.2 主体LDO电路设计 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 电路仿真 | 第40-53页 |
| 4.1 带隙基准电路 | 第40-44页 |
| 4.1.1 直流特性仿真 | 第40-41页 |
| 4.1.2 瞬态特性仿真 | 第41-42页 |
| 4.1.3 交流特性仿真 | 第42-43页 |
| 4.1.4 仿真总结 | 第43-44页 |
| 4.2 主体LDO电路 | 第44-52页 |
| 4.2.1 直流特性仿真 | 第44-46页 |
| 4.2.2 瞬态特性仿真 | 第46-49页 |
| 4.2.3 交流特性仿真 | 第49-52页 |
| 4.2.4 仿真总结 | 第52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 电路版图设计 | 第53-61页 |
| 5.1 版图简介 | 第53-58页 |
| 5.1.1 设计流程 | 第53页 |
| 5.1.2 设计方法 | 第53-58页 |
| 5.2 版图实现 | 第58-60页 |
| 5.2.1 注意事项 | 第58-59页 |
| 5.2.2 版图实现 | 第59-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-62页 |
| 6.1 总结 | 第61页 |
| 6.2 后续工作 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
