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碳化硅功率器件高速应用关键技术研究

致谢第5-6页
摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
1 引言第13-29页
    1.1 研究背景与意义第13-16页
        1.1.1 论文研究的背景第13-15页
        1.1.2 论文研究的意义第15-16页
    1.2 国内外研究现状第16-25页
        1.2.1 SiC功率器件特性的测试和预测方法第16-19页
        1.2.2 SiC功率器件应用中影响可靠性的问题第19-25页
    1.3 目前存在的主要问题第25-26页
    1.4 本文的研究内容第26-29页
2 SiC功率器件开关特性的规范测试研究第29-53页
    2.1 双脉冲测试电路的设计第29-38页
        2.1.1 驱动和功率回路的参数计算第29-35页
        2.1.2 驱动和功率回路的布局设计第35-38页
    2.2 寄生电容对测试结果的影响第38-41页
    2.3 测试点对测试结果的影响第41-43页
    2.4 测试设备对测试结果的影响第43-49页
        2.4.1 电压测试设备第43-46页
        2.4.2 电流测试设备第46-48页
        2.4.3 电压与电流波形之间相位延迟对开关损耗的影响第48-49页
    2.5 开关特性的评估结果第49-51页
    2.6 本章小结第51-53页
3 用于预测SiC功率器件开关行为的分析模型第53-81页
    3.1 分析模型的建立第53-65页
        3.1.1 开通过程第55-59页
        3.1.2 关断过程第59-65页
    3.2 寄生参数的提取第65-68页
    3.3 实验验证第68-70页
    3.4 电路中参数对开关特性的影响第70-78页
        3.4.1 寄生电容的影响第70-74页
        3.4.2 寄生电感的影响第74-76页
        3.4.3 栅极电阻的影响第76页
        3.4.4 驱动电压的影响第76-77页
        3.4.5 电路中不同参数对开关特性影响的对比第77-78页
    3.5 本章小结第78-81页
4 不同封装SiC功率器件串扰问题的形成机理及抑制方法第81-103页
    4.1 不同封装的串扰问题形成机理分析第81-87页
        4.1.1 主动管开通过程第82-84页
        4.1.2 主动管关断过程第84-87页
    4.2 不同封装串扰问题的实验验证第87-89页
    4.3 被动管驱动回路参数对串扰问题的影响第89-94页
        4.3.1 被动管栅极电阻的影响第89-91页
        4.3.2 被动管栅源极结电容的影响第91-93页
        4.3.3 改变被动管驱动回路参数抑制串扰问题的缺点第93-94页
    4.4 低栅极关断阻抗驱动电路第94-102页
        4.4.1 工作原理第94-97页
        4.4.2 参数计算第97-100页
        4.4.3 实验验证第100-102页
    4.5 本章小结第102-103页
5 关断过电压及振荡的抑制方法第103-139页
    5.1 关断过电压及振荡形成机理分析第103-108页
        5.1.1 续流二极管关断过程第103-105页
        5.1.2 SiC功率器件关断过程第105-108页
    5.2 桥臂并联高频解耦电容及其改进方法分析第108-130页
        5.2.1 高频解耦电容方法第108-117页
        5.2.2 高频解耦电容串联阻尼方法第117-121页
        5.2.3 高频解耦电容并联电容-阻尼方法第121-126页
        5.2.4 实验验证第126-130页
    5.3 变驱动电压变栅极电阻驱动电路第130-136页
        5.3.1 工作原理第131-133页
        5.3.2 实验验证第133-136页
    5.4 本章小结第136-139页
6 结论第139-141页
    6.1 主要研究成果总结第139-140页
    6.2 下一步研究展望第140-141页
参考文献第141-151页
附录A第151-153页
附录B第153-155页
作者简历及攻读硕士/博士学位期间取得的研究成果第155-159页
学位论文数据集第159页

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