致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
1 引言 | 第13-29页 |
1.1 研究背景与意义 | 第13-16页 |
1.1.1 论文研究的背景 | 第13-15页 |
1.1.2 论文研究的意义 | 第15-16页 |
1.2 国内外研究现状 | 第16-25页 |
1.2.1 SiC功率器件特性的测试和预测方法 | 第16-19页 |
1.2.2 SiC功率器件应用中影响可靠性的问题 | 第19-25页 |
1.3 目前存在的主要问题 | 第25-26页 |
1.4 本文的研究内容 | 第26-29页 |
2 SiC功率器件开关特性的规范测试研究 | 第29-53页 |
2.1 双脉冲测试电路的设计 | 第29-38页 |
2.1.1 驱动和功率回路的参数计算 | 第29-35页 |
2.1.2 驱动和功率回路的布局设计 | 第35-38页 |
2.2 寄生电容对测试结果的影响 | 第38-41页 |
2.3 测试点对测试结果的影响 | 第41-43页 |
2.4 测试设备对测试结果的影响 | 第43-49页 |
2.4.1 电压测试设备 | 第43-46页 |
2.4.2 电流测试设备 | 第46-48页 |
2.4.3 电压与电流波形之间相位延迟对开关损耗的影响 | 第48-49页 |
2.5 开关特性的评估结果 | 第49-51页 |
2.6 本章小结 | 第51-53页 |
3 用于预测SiC功率器件开关行为的分析模型 | 第53-81页 |
3.1 分析模型的建立 | 第53-65页 |
3.1.1 开通过程 | 第55-59页 |
3.1.2 关断过程 | 第59-65页 |
3.2 寄生参数的提取 | 第65-68页 |
3.3 实验验证 | 第68-70页 |
3.4 电路中参数对开关特性的影响 | 第70-78页 |
3.4.1 寄生电容的影响 | 第70-74页 |
3.4.2 寄生电感的影响 | 第74-76页 |
3.4.3 栅极电阻的影响 | 第76页 |
3.4.4 驱动电压的影响 | 第76-77页 |
3.4.5 电路中不同参数对开关特性影响的对比 | 第77-78页 |
3.5 本章小结 | 第78-81页 |
4 不同封装SiC功率器件串扰问题的形成机理及抑制方法 | 第81-103页 |
4.1 不同封装的串扰问题形成机理分析 | 第81-87页 |
4.1.1 主动管开通过程 | 第82-84页 |
4.1.2 主动管关断过程 | 第84-87页 |
4.2 不同封装串扰问题的实验验证 | 第87-89页 |
4.3 被动管驱动回路参数对串扰问题的影响 | 第89-94页 |
4.3.1 被动管栅极电阻的影响 | 第89-91页 |
4.3.2 被动管栅源极结电容的影响 | 第91-93页 |
4.3.3 改变被动管驱动回路参数抑制串扰问题的缺点 | 第93-94页 |
4.4 低栅极关断阻抗驱动电路 | 第94-102页 |
4.4.1 工作原理 | 第94-97页 |
4.4.2 参数计算 | 第97-100页 |
4.4.3 实验验证 | 第100-102页 |
4.5 本章小结 | 第102-103页 |
5 关断过电压及振荡的抑制方法 | 第103-139页 |
5.1 关断过电压及振荡形成机理分析 | 第103-108页 |
5.1.1 续流二极管关断过程 | 第103-105页 |
5.1.2 SiC功率器件关断过程 | 第105-108页 |
5.2 桥臂并联高频解耦电容及其改进方法分析 | 第108-130页 |
5.2.1 高频解耦电容方法 | 第108-117页 |
5.2.2 高频解耦电容串联阻尼方法 | 第117-121页 |
5.2.3 高频解耦电容并联电容-阻尼方法 | 第121-126页 |
5.2.4 实验验证 | 第126-130页 |
5.3 变驱动电压变栅极电阻驱动电路 | 第130-136页 |
5.3.1 工作原理 | 第131-133页 |
5.3.2 实验验证 | 第133-136页 |
5.4 本章小结 | 第136-139页 |
6 结论 | 第139-141页 |
6.1 主要研究成果总结 | 第139-140页 |
6.2 下一步研究展望 | 第140-141页 |
参考文献 | 第141-151页 |
附录A | 第151-153页 |
附录B | 第153-155页 |
作者简历及攻读硕士/博士学位期间取得的研究成果 | 第155-159页 |
学位论文数据集 | 第159页 |