| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 磁电复合材料的研究进展 | 第17-27页 |
| 1.1 多铁性与磁电耦合效应 | 第17-19页 |
| 1.1.1 铁电材料简介 | 第17-18页 |
| 1.1.2 铁磁材料简介 | 第18-19页 |
| 1.1.3 磁电耦合效应 | 第19页 |
| 1.2 磁电材料复合方式 | 第19-20页 |
| 1.3 多铁性研究进展 | 第20-22页 |
| 1.4 磁电耦合效应的应用前景 | 第22-25页 |
| 1.4.1“电写磁读”磁电存储器 | 第22-23页 |
| 1.4.2 磁电多态存储器 | 第23-24页 |
| 1.4.3 磁电读头传感器 | 第24-25页 |
| 1.4.4 磁探测器件 | 第25页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第25-27页 |
| 第二章 脉冲激光沉积系统及测试设备介绍 | 第27-39页 |
| 2.1 脉冲激光沉积系统（PLD）介绍 | 第27-33页 |
| 2.1.1 PLD技术发展及其特点 | 第27页 |
| 2.1.2 PLD设备结构及工作原理 | 第27-30页 |
| 2.1.3 PLD制膜原理 | 第30-33页 |
| 2.1.4 PLD系统的优点 | 第33页 |
| 2.2 薄膜表征及测试设备 | 第33-37页 |
| 2.2.1 原子力显微镜（AFM） | 第33-35页 |
| 2.2.2 高分辨X射线衍射（HRXRD） | 第35-36页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第36页 |
| 2.2.4 超导量子干涉仪（SQUID） | 第36-37页 |
| 2.3 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 BaTiO_3-CoFe_2O_4异质结薄膜的生长与表征 | 第39-51页 |
| 3.1 实验流程 | 第39-40页 |
| 3.2 PLD生长薄膜的简易流程 | 第40-42页 |
| 3.2.1 前期准备 | 第40-41页 |
| 3.2.2 材料生长 | 第41-42页 |
| 3.3 薄膜质量优化 | 第42-49页 |
| 3.3.1 MgO薄膜的制备 | 第42-44页 |
| 3.3.2 CFO薄膜的制备 | 第44-46页 |
| 3.3.3 BTO薄膜的制备 | 第46-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 BaTiO_3-CoFe_2O_4薄膜的转移 | 第51-59页 |
| 4.1 自支撑单层薄膜的制备 | 第51-52页 |
| 4.2 BaTiO_3-CoFe_2O_4薄膜的转移 | 第52-58页 |
| 4.2.1 Au保护转移法 | 第52-53页 |
| 4.2.2 PDMS辅助转移法 | 第53-55页 |
| 4.2.3 PMMA保护转移法 | 第55-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 BaTiO_3-CoFe_2O_4的磁电耦合特性研究 | 第59-73页 |
| 5.1 单层薄膜的性质 | 第59-63页 |
| 5.1.1 BTO的铁电性 | 第59-61页 |
| 5.1.2 CFO的铁磁性 | 第61-63页 |
| 5.2 弯曲应力对BaTiO_3-CoFe_2O_4压电特性的影响 | 第63-65页 |
| 5.2.1 柔性BaTiO_3-CoFe_2O_4异质结的制备 | 第63-64页 |
| 5.2.2 柔性BaTiO_3-CoFe_2O_4的压电特性 | 第64-65页 |
| 5.3 转移薄膜的阻变研究 | 第65-66页 |
| 5.4 基于磁电耦合效应的磁探测 | 第66-71页 |
| 5.4.1 器件结构 | 第66-69页 |
| 5.4.2 原型器件性能表征 | 第69-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 论文总结 | 第73页 |
| 6.2 工作展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
