| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 前言 | 第10页 |
| 1.2 电介质陶瓷的弛豫机理和钙钛矿结构 | 第10-17页 |
| 1.2.1 电介质陶瓷的弛豫机理 | 第10-16页 |
| 1.2.2 钙钛矿和CCTO陶瓷的结构 | 第16-17页 |
| 1.3 CCTO陶瓷的发展概况 | 第17-23页 |
| 1.3.1 CCTO陶瓷巨介电常数来源的研究 | 第17-18页 |
| 1.3.2 双肖特基势垒模型与CCTO陶瓷的非线性I-V特性研究 | 第18-21页 |
| 1.3.3 CCTO陶瓷掺杂改性的研究 | 第21-23页 |
| 1.4 本文的研究思路和内容 | 第23-24页 |
| 1.4.1 研究思路 | 第23页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第23-24页 |
| 2 CCTO陶瓷的性能测试与介电机理分析 | 第24-38页 |
| 2.1 CCTO陶瓷的实验室制备 | 第24-26页 |
| 2.2 CCTO陶瓷的X射线衍射测试 | 第26页 |
| 2.3 CCTO陶瓷显微结构的测试 | 第26-28页 |
| 2.4 CCTO陶瓷的介电谱测试和极化机理分析 | 第28-37页 |
| 2.4.1 CCTO陶瓷的介电温谱测试和极化过程分析 | 第29-31页 |
| 2.4.2 阻抗谱和模量谱表征CCTO陶瓷的极化机理 | 第31-34页 |
| 2.4.3 CCTO陶瓷的变温I-V测试和肖特基势垒高度的表征 | 第34-36页 |
| 2.4.4 CCTO陶瓷弛豫活化能计算的等效性 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 标准CCTO陶瓷工艺参数的优化 | 第38-48页 |
| 3.1 不同的压片压强对CCTO陶瓷介电性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.2 烧结温度对CCTO陶瓷介电性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 烧结时间对CCTO陶瓷介电性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 空气淬火对CCTO陶瓷介电性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.5 气氛处理对CCTO陶瓷介电性能和缺陷结构的影响 | 第42-46页 |
| 3.5.1 样品气氛热处理说明 | 第42-43页 |
| 3.5.2 气氛处理对CCTO陶瓷介电性能的影响 | 第43-44页 |
| 3.5.3 气氛处理对CCTO陶瓷点缺陷结构的影响 | 第44-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 4 受主Na掺杂对CCTO陶瓷介电性能和点缺陷结构的影响 | 第48-54页 |
| 4.1 XRD物相分析 | 第48-49页 |
| 4.2 显微结构分析 | 第49页 |
| 4.3 介电性能分析 | 第49-51页 |
| 4.4 Na掺杂对CCTO陶瓷点缺陷结构的影响 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 5 施主Nd掺杂对CCTO陶瓷介电性能和点缺陷结构的影响 | 第54-60页 |
| 5.1 XRD物相分析 | 第54-55页 |
| 5.2 显微结构分析 | 第55-56页 |
| 5.3 介电性能分析 | 第56-57页 |
| 5.4 Nd掺杂对CCTO陶瓷点缺陷结构的影响 | 第57-59页 |
| 5.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 6 结论和展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 作者攻读学位期间发表学术论文清单 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
