| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 聚变反应与聚变能 | 第10-11页 |
| 1.2 聚变堆材料及面临的问题 | 第11-15页 |
| 1.2.1 面向等离子体材料 | 第12-14页 |
| 1.2.2 聚变堆材料面临的问题 | 第14-15页 |
| 1.3 研究内容及现状 | 第15-17页 |
| 1.3.1 国内外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3.2 本论文的研究目的和工作内容 | 第16-17页 |
| 第二章 理论基础 | 第17-27页 |
| 2.1 缺陷的形成与扩散 | 第17-20页 |
| 2.1.1 缺陷的形成 | 第17-18页 |
| 2.1.2 缺陷的扩散 | 第18-19页 |
| 2.1.3 离子辐照增强扩散效应 | 第19-20页 |
| 2.2 氢离子在材料中的行为 | 第20-22页 |
| 2.2.1 氢在材料中的溶解与束缚 | 第20-21页 |
| 2.2.2 扩散与复合 | 第21-22页 |
| 2.3 气泡的形核与生长理论 | 第22-27页 |
| 2.3.1 气泡的成核 | 第22-24页 |
| 2.3.2 气泡的生长 | 第24-27页 |
| 第三章 实验过程与方法 | 第27-41页 |
| 3.1 样品的制备 | 第27-32页 |
| 3.1.1 透射电子显微镜样品的制备 | 第27-30页 |
| 3.1.2 扫描电子显微镜样品的制备 | 第30-32页 |
| 3.2 氢、氦离子注入 | 第32-34页 |
| 3.3 真空热处理 | 第34-35页 |
| 3.4 测试表征方法 | 第35-41页 |
| 3.4.1 扫描电子显微镜 | 第35-37页 |
| 3.4.2 聚焦离子束 | 第37页 |
| 3.4.3 透射电子显微镜 | 第37-40页 |
| 3.4.4 空洞或气泡的透射电镜表征 | 第40-41页 |
| 第四章 结果分析讨论 | 第41-57页 |
| 4.1 离子注入前钨的微观结构 | 第41-42页 |
| 4.2 氢、氦离子辐照损伤的SRIM模拟结果 | 第42-43页 |
| 4.3 氢离子注入钨后的透射电子显微镜结果分析 | 第43-51页 |
| 4.3.1 氢气泡的形成及随注入剂量的变化 | 第43-44页 |
| 4.3.2 氢气泡随束流密度的变化 | 第44-47页 |
| 4.3.3 退火温度对氢气泡的影响 | 第47-50页 |
| 4.3.4 氢离子能量对钨中气泡行为的影响 | 第50-51页 |
| 4.4 氦离子注入钨后的实验结果及讨论 | 第51-57页 |
| 4.4.1 氦离子注入钨后的扫描电子显微镜结果分析 | 第51-52页 |
| 4.4.2 氦离子注入剂量对气泡的影响 | 第52-53页 |
| 4.4.3 聚焦离子束实验结果分析 | 第53-54页 |
| 4.4.4 不同抛光方式对钨样品表面的影响 | 第54-55页 |
| 4.4.5 高流强氦离子注入钨后的透射电子显微镜结果分析 | 第55-57页 |
| 第五章 总结展望 | 第57-60页 |
| 5.1 论文内容总结 | 第57-58页 |
| 5.1.1 氢气泡的形成及辐照相关性 | 第57-58页 |
| 5.1.2 氦气泡的形成及辐照相关性 | 第58页 |
| 5.2 工作展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 在学期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |