| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米半导体材料基本结构和性质 | 第10-12页 |
| 1.3 纳米硅镶嵌结构薄膜研究进展 | 第12-15页 |
| 1.4 本工作的意义和主要研究内容 | 第15-18页 |
| 第2章 基础理论、实验原理及技术 | 第18-35页 |
| 2.1 纳米硅结构发光的基础理论 | 第18-23页 |
| 2.2 实验原理 | 第23-25页 |
| 2.3 实验技术 | 第25-27页 |
| 2.4 常规实验检测技术 | 第27-35页 |
| 第3章 光热偏转光谱(PDS)技术 | 第35-43页 |
| 3.1 PDS实验原理 | 第35-36页 |
| 3.2 PDS实验系统的建立 | 第36-38页 |
| 3.3 PDS测量结果及其理论修正 | 第38-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 纳米硅/氮化硅薄膜的微结构特性分析 | 第43-62页 |
| 4.1 纳米硅/氮化硅样品制备 | 第43-44页 |
| 4.2 纳米硅/氮化硅薄膜的结构特性 | 第44-54页 |
| 4.3 纳米硅/氮化硅微结构的带隙及带尾特性 | 第54-58页 |
| 4.4 纳米硅/氮化硅微结构的光致发光 | 第58-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 纳米硅/氮化硅的可调光致发光及量子限制效应 | 第62-79页 |
| 5.1 纳米硅/氮化硅薄膜制备及H2环境热退火 | 第62页 |
| 5.2 纳米硅/氮化硅薄膜的结构特性 | 第62-64页 |
| 5.3 纳米硅/氮化硅微结构薄膜的能带展宽特性 | 第64-67页 |
| 5.4 纳米硅/氮化硅薄膜的可调光致发光特性 | 第67-69页 |
| 5.5 纳米硅量子限制效应发光的数值模拟 | 第69-72页 |
| 5.6 纳米硅发光的温度特性 | 第72-77页 |
| 5.7 本章小结 | 第77-79页 |
| 第6章 纳米硅/氮化硅微观结构的调整及发光机制研究 | 第79-95页 |
| 6.1 纳米硅/氮化硅样品制备 | 第79页 |
| 6.2 氢对纳米硅/氮化硅薄膜微观结构的调整及纳米硅的晶化 | 第79-83页 |
| 6.3 纳米硅/氮化硅微结构的能带结构及缺陷特性 | 第83-85页 |
| 6.4 氮化硅中纳米晶硅的光致发光特性 | 第85-86页 |
| 6.5 纳米硅/氮化硅微结构的发光机制 | 第86-93页 |
| 6.6 本章小结 | 第93-95页 |
| 结束语 | 第95-98页 |
| 参考文献 | 第98-106页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108页 |
