| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 MOS器件按比例缩小及面临的挑战 | 第12-17页 |
| 1.3 化合物半导体(In)GaAs材料的优势 | 第17-18页 |
| 1.4 高k栅介质/(In)GaAs MOS器件研究现状 | 第18-28页 |
| 1.5 高k栅介质InGaAs MOSFET沟道迁移率研究进展 | 第28-30页 |
| 1.6 本文主要工作及内容安排 | 第30-33页 |
| 第二章 高k栅介质(In)GaAs MOS制备工艺及测试方法 | 第33-45页 |
| 2.1 MOS器件制备工艺 | 第33-37页 |
| 2.2 薄膜性能表征 | 第37-39页 |
| 2.3 MOS器件电特性测试 | 第39-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 堆栈高k栅介质InGaAs n-MOSFET电子迁移率模型 | 第45-73页 |
| 3.1 玻尔兹曼输运理论 | 第45-50页 |
| 3.2 载流子散射机制 | 第50-61页 |
| 3.3 迁移率模型的建立 | 第61-62页 |
| 3.4 模拟结果和讨论 | 第62-72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 堆栈高k栅介质GaAs MOS界面特性及电性能研究 | 第73-95页 |
| 4.1 引言 | 第73-74页 |
| 4.2 HfTiON/TaON/GaAs MOS器件 | 第74-80页 |
| 4.3 HfTiON/AlON/GaAs MOS器件 | 第80-86页 |
| 4.4 HfTiON/GGO/GaAs MOS器件 | 第86-93页 |
| 4.5 三种界面层样品的性能比较 | 第93-94页 |
| 4.6 本章小结 | 第94-95页 |
| 第五章 堆栈高k栅介质InGaAs MOS界面特性及电性能研究 | 第95-111页 |
| 5.1 引言 | 第95-96页 |
| 5.2 HfTiON/GGON/InGaAs MOS器件 | 第96-104页 |
| 5.3 多层TiON/TaON栅介质InGaAs MOS器件 | 第104-110页 |
| 5.4 本章小结 | 第110-111页 |
| 第六章 总结与展望 | 第111-115页 |
| 6.1 工作总结与创新点 | 第111-114页 |
| 6.2 工作展望 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-133页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第133-134页 |
