| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 前言 | 第12-24页 |
| 1.1 分子电子学简介 | 第12-14页 |
| 1.1.1 硅基电子器件的局限 | 第12-13页 |
| 1.1.2 分子电子学的产生 | 第13-14页 |
| 1.2 分子器件的发展 | 第14-21页 |
| 1.2.1 分子器件及制备技术 | 第14-19页 |
| 1.2.2 分子器件的实验及理论研究 | 第19-21页 |
| 1.3 本论文研究的内容和意义 | 第21-24页 |
| 第2章 理论计算基础 | 第24-38页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第24-31页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第25-26页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第26-29页 |
| 2.1.3 交换关联能量泛函 | 第29-31页 |
| 2.2 非平衡格林函数方法 | 第31-35页 |
| 2.2.1 NEGF和Landauer理论 | 第31-33页 |
| 2.2.2 非平衡电流密度的构建 | 第33-35页 |
| 2.3 NEGF-DFT方法 | 第35-36页 |
| 2.4 计算软件及计算过程 | 第36-38页 |
| 第3章 TMTP和THPT分子器件电学特性研究 | 第38-65页 |
| 3.1 制备分子结实验 | 第39-42页 |
| 3.1.1 实验对象 | 第39页 |
| 3.1.2 实验过程 | 第39-42页 |
| 3.1.3 I-V测试 | 第42页 |
| 3.2 结果分析与讨论 | 第42-57页 |
| 3.2.1 实验现象分析 | 第42-48页 |
| 3.2.2 输运机理分析与讨论 | 第48-57页 |
| 3.3 理论计算 | 第57-64页 |
| 3.3.1 单分子结建模 | 第57-58页 |
| 3.3.2 计算结果与分析 | 第58-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 3-甲基噻吩及其低聚物器件电学特性理论研究 | 第65-90页 |
| 4.1 建模与计算方法 | 第66-69页 |
| 4.1.1 研究对象 | 第66页 |
| 4.1.2 单分子结建模 | 第66-68页 |
| 4.1.3 计算方法 | 第68-69页 |
| 4.2 计算结果与分析 | 第69-88页 |
| 4.2.1 电子结构 | 第69-74页 |
| 4.2.2 零偏压电荷传输性质 | 第74-77页 |
| 4.2.3 不同偏压电荷传输性质 | 第77-88页 |
| 4.3 本章小结 | 第88-90页 |
| 第5章 含吡啶3-甲基噻吩衍生物器件电学特性理论研究 | 第90-106页 |
| 5.1 研究对象与建模 | 第90-92页 |
| 5.2 计算结果与分析 | 第92-104页 |
| 5.2.1 电子结构 | 第92-95页 |
| 5.2.2 电荷传输性质 | 第95-104页 |
| 5.3 本章小结 | 第104-106页 |
| 第6章 结论与展望 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第120页 |