| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 论文结构安排 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 光通信中的单行载流子光探测器 | 第16-32页 |
| 2.1 光通信中UTC-PD的工作原理 | 第16-17页 |
| 2.2 UTC-PD的性能参数 | 第17-20页 |
| 2.2.1 量子效率和响应度 | 第17-18页 |
| 2.2.2 高速性能 | 第18-19页 |
| 2.2.3 饱和电流 | 第19页 |
| 2.2.4 噪声特性和暗电流 | 第19-20页 |
| 2.3 光通信中UTC-PD的研究进展 | 第20-27页 |
| 2.3.1 低噪声UTC-PD研究进展 | 第20-22页 |
| 2.3.2 高速高饱和UTC-PD研究进展 | 第22-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-32页 |
| 第三章 单行载流子光探测器噪声电路模型研究 | 第32-47页 |
| 3.1 PIN-PD的噪声电路模型研究 | 第32-38页 |
| 3.1.1 PIN-PD等效电路模型概述 | 第32-33页 |
| 3.1.2 理论模型的建立 | 第33-37页 |
| 3.1.3 噪声特性仿真结果 | 第37-38页 |
| 3.2 UTC-PD的噪声电路模型研究 | 第38-44页 |
| 3.2.1 UTC-PD等效电路模型概述 | 第38-40页 |
| 3.2.2 理论模型的建立 | 第40-43页 |
| 3.2.3 噪声特性仿真结果 | 第43-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 单行载流子光探测器吸收层中高斯掺杂对带宽特性的影响研究 | 第47-54页 |
| 4.1 高斯掺杂理论 | 第47-48页 |
| 4.2 吸收层中平均掺杂浓度的选择 | 第48-49页 |
| 4.3 吸收层高斯掺杂参数N_(max),X_p,L与带宽的关系 | 第49-52页 |
| 4.3.1 探究高斯掺杂峰值浓度位置与带宽的关系 | 第49-51页 |
| 4.3.2 探究高斯掺杂特征长度与带宽的关系 | 第51页 |
| 4.3.3 探究高斯掺杂峰值浓度位置和平均掺杂浓度与带宽的关系 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第五章 低噪声高速高饱和单行载流子光探测器的研究 | 第54-65页 |
| 5.1 UTC-PD外延层结构的优化与设计 | 第54-62页 |
| 5.1.1 UTC-PD的吸收层设计与高速特性分析 | 第55-58页 |
| 5.1.2 UTC-PD的收集层设计与高饱和特性分析 | 第58-62页 |
| 5.2 UTC-PD的暗电流特性分析 | 第62-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第六章 单行载流子光探测器的制作和性能测量 | 第65-72页 |
| 6.1 UTC-PD的外延生长结构 | 第65页 |
| 6.2 UTC-PD的制作工艺 | 第65-68页 |
| 6.3 UTC-PD的性能测试 | 第68-70页 |
| 6.3.1 暗电流测试 | 第68页 |
| 6.3.2 量子效率测试 | 第68-69页 |
| 6.3.3 频率响应测试 | 第69-70页 |
| 6.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第73页 |
