| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9页 |
| 1.2 国内外研究现状与发展动态 | 第9-10页 |
| 1.3 主要研究内容与系统设计指标 | 第10-11页 |
| 1.4 论文结构与安排 | 第11-13页 |
| 第2章 核心感温电路的基本原理和非理想因素分析 | 第13-27页 |
| 2.1 pn结的基本I-V特性 | 第13-14页 |
| 2.2 CMOS工艺下双极型晶体管的实现及其I-V特性 | 第14-17页 |
| 2.2.1 CMOS工艺下双极型晶体管的实现 | 第14-15页 |
| 2.2.2 双极型晶体管的I_E-|V_(BE)|特性 | 第15-17页 |
| 2.3 双极型晶体管的温度特性和核心感温电路的基本原理 | 第17-20页 |
| 2.3.1 |V_(BE)|的温度特性 | 第17-19页 |
| 2.3.2 △V_(BE)的温度特性 | 第19页 |
| 2.3.3 核心感温电路的基本原理 | 第19-20页 |
| 2.4 核心感温电路中的非理想因素 | 第20-25页 |
| 2.4.1 电流增益的温度特性对|V_(BE)|的影响 | 第20页 |
| 2.4.2 电流偏置电路中电阻的温度特性对|V_(BE)|的影响 | 第20-22页 |
| 2.4.3 串联寄生电阻对△V_(BE)的影响 | 第22-23页 |
| 2.4.4 厄利效应对|V_(BE)|的影响 | 第23-24页 |
| 2.4.5 电流镜失配引起对△V_(BE)的影响 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 ∑-△ADC的基本原理和非理想因素分析 | 第27-41页 |
| 3.1 ADC基本类型 | 第27页 |
| 3.2 Σ-△ADC工作原理 | 第27-34页 |
| 3.2.1 一阶Σ-△调制器的工作原理 | 第28-32页 |
| 3.2.2 高阶Σ-△调制器的工作原理 | 第32-33页 |
| 3.2.3 开关电容积分器的基本原理 | 第33-34页 |
| 3.3 ADC非理想因素分析和关键参数确定 | 第34-39页 |
| 3.3.1 积分器中运放直流增益有限 | 第34-36页 |
| 3.3.2 积分器中运放的转换速率和带宽 | 第36-37页 |
| 3.3.3 开关的非理想 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 CMOS温度传感器的系统设计和误差分配 | 第41-49页 |
| 4.1 CMOS温度传感器的架构 | 第41-42页 |
| 4.1.1 传统的温度传感器架构 | 第41页 |
| 4.1.2 本文的温度传感器架构 | 第41-42页 |
| 4.2 误差分配 | 第42-44页 |
| 4.3 核心感温电路中的误差消除技术 | 第44-47页 |
| 4.3.1 有限电流增益声引起的误差消除 | 第44-45页 |
| 4.3.2 电流偏置电路中运放的失调电压的消除 | 第45-46页 |
| 4.3.3 电流镜失配引起的误差消除 | 第46页 |
| 4.3.4 曲率补偿 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 CMOS温度传感器的模块设计 | 第49-65页 |
| 5.1 电流偏置电路的设计 | 第49-52页 |
| 5.1.1 电流偏置电路的必要性 | 第49页 |
| 5.1.2 电流偏置电路的具体电路 | 第49-52页 |
| 5.2 核心感温电路的设计 | 第52-54页 |
| 5.3 一阶Σ-△ADC的设计 | 第54-63页 |
| 5.3.1 积分器的设计 | 第55-60页 |
| 5.3.2 动态比较器的设计 | 第60-61页 |
| 5.3.3 时钟产生电路的设计 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第6章 版图设计与后仿真 | 第65-73页 |
| 6.1 版图设计流程 | 第65-66页 |
| 6.2 版图设计 | 第66-67页 |
| 6.3 关键模块及系统后仿真 | 第67-70页 |
| 6.4 单点修调技术 | 第70-71页 |
| 6.5 本章小结 | 第71-73页 |
| 第7章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第81页 |
