| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第8页 |
| 1.2 CMOS 图像传感器的原理和特性 | 第8-12页 |
| 1.2.1 CMOS 图像传感器的发展及应用 | 第8-10页 |
| 1.2.2 CMOS 图像传感器的组成和工作原理 | 第10-12页 |
| 1.3 空间电离辐射环境及效应 | 第12-17页 |
| 1.3.1 近地空间电离辐射环境 | 第12-15页 |
| 1.3.2 空间电离辐射环境对材料和器件的损伤效应 | 第15-17页 |
| 1.4 CMOS 图像传感器的辐照损伤效应 | 第17-23页 |
| 1.5 研究目的和内容 | 第23-24页 |
| 第2章 试验器件、设备和方法 | 第24-35页 |
| 2.1 LUPA 4000 图像传感器 | 第24-25页 |
| 2.2 试验设备 | 第25-26页 |
| 2.2.1 质子加速器 | 第25-26页 |
| 2.2.2 电子加速器 | 第26页 |
| 2.3 退火设备 | 第26-27页 |
| 2.4 CMOS 图像传感器的性能测试 | 第27-30页 |
| 2.4.1 性能测试装置 | 第27-28页 |
| 2.4.2 主要性能参数 | 第28-30页 |
| 2.5 试验方案 | 第30-35页 |
| 第3章 LUPA4000 CMOS 图像传感器的辐照效应 | 第35-46页 |
| 3.1 1MeV 电子辐照效应 | 第35-38页 |
| 3.1.1 成像质量变化 | 第35页 |
| 3.1.2 暗信号变化规律 | 第35-36页 |
| 3.1.3 读出总噪声变化规律 | 第36页 |
| 3.1.4 信噪比变化规律 | 第36-37页 |
| 3.1.5 光响应非均匀性变化规律 | 第37页 |
| 3.1.6 坏点变化规律 | 第37-38页 |
| 3.2 11MeV 质子辐照效应 | 第38-43页 |
| 3.2.1 成像质量变化情况 | 第38-39页 |
| 3.2.2 暗信号变化规律 | 第39-40页 |
| 3.2.3 读出总噪声变化规律 | 第40页 |
| 3.2.4 信噪比变化规律 | 第40-41页 |
| 3.2.5 光响应非均匀性变化规律 | 第41-42页 |
| 3.2.6 坏点变化规律 | 第42-43页 |
| 3.3 退火效应 | 第43-45页 |
| 3.3.1 暗信号变化规律 | 第43页 |
| 3.3.2 读出总噪声变化规律 | 第43-44页 |
| 3.3.3 光响应非均匀性变化规律 | 第44页 |
| 3.3.4 坏点变化规律 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 CMOS 图像传感器的辐照损伤机理 | 第46-61页 |
| 4.1 LUPA4000 图像传感器像元结构和工作原理 | 第46-48页 |
| 4.2 电子辐照损伤分析 | 第48-57页 |
| 4.2.1 光敏二极管的辐照效应 | 第48-49页 |
| 4.2.2 MOS 晶体管辐照效应 | 第49-53页 |
| 4.2.3 加偏置电压条件下参数变化 | 第53-56页 |
| 4.3.4 电离损伤对器件参数的影响 | 第56-57页 |
| 4.3 质子辐照效应损伤分析 | 第57-60页 |
| 4.3.1 质子与电子辐照损伤效应的差别 | 第57-58页 |
| 4.3.2 位移损伤对器件参数的影响 | 第58-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
