| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第11页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线 | 第11-13页 |
| 1.3 Ⅲ-Ⅴ族纳米线异质结构 | 第13-15页 |
| 1.3.1 Ⅲ-Ⅴ族纳米线轴向异质结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2 Ⅲ-Ⅴ族纳米线径向异质结构 | 第14-15页 |
| 1.4 Ⅲ-Ⅴ纳米线/量子点异维复合结构 | 第15-17页 |
| 1.5 Ⅲ-Ⅴ族纳米线光电子器件 | 第17-18页 |
| 1.6 本论文的研究工作 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-28页 |
| 第二章 Ⅲ-Ⅴ族纳米线的生长与表征技术 | 第28-39页 |
| 2.1 Ⅲ-Ⅴ族纳米线生长技术 | 第28-31页 |
| 2.1.1 金属有机化学气相沉淀技术(MOCVD) | 第28-29页 |
| 2.1.2 气-液-固(VLS)生长机理 | 第29-31页 |
| 2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第31-32页 |
| 2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第32-33页 |
| 2.4 光致发光测试技术 | 第33-36页 |
| 2.4.1 光致发光原理 | 第33-34页 |
| 2.4.2 显微荧光光谱仪(μPL) | 第34-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 GaAs/In(Ga)As纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第39-72页 |
| 3.1 GaAs/InAs纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第39-55页 |
| 3.1.1 实验过程 | 第40页 |
| 3.1.2 量子点的形成机理 | 第40-42页 |
| 3.1.3 量子点的形貌与结构特性 | 第42-44页 |
| 3.1.4 量子点的演化规律与分布特性 | 第44-49页 |
| 3.1.5 量子点的发光特性 | 第49-55页 |
| 3.2 GaAs/In_xGa_(1-x)As纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第55-60页 |
| 3.2.1 实验过程 | 第55-56页 |
| 3.2.2 In_xGa_(1-x)As量子点的形貌特性 | 第56-57页 |
| 3.2.3 In_xGa_(1-x)As量子点的光学特性 | 第57-60页 |
| 3.3 GaAs/InAs纳米线/多层量子点径向异维复合结构 | 第60-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 第四章 InGaAs/InAs及InP/InAs纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第72-101页 |
| 4.1 InGaAs/InAs纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第72-83页 |
| 4.1.1 InGaAs纳米线 | 第73-75页 |
| 4.1.2 InGaAs/InAs纳米线径向异质结构 | 第75-77页 |
| 4.1.3 (GaAs/InGaAs)/InAs纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第77-82页 |
| 4.1.4 基于GaAs纳米线的“阱中点”结构及其光学特性 | 第82-83页 |
| 4.2 InP/InAs纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第83-94页 |
| 4.2.1 InP/InAs纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第84-88页 |
| 4.2.2 GaAs/InP纳米线径向异质结构 | 第88-91页 |
| 4.2.3 (GaAs/InP)/InAs纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第91-94页 |
| 4.3 本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-101页 |
| 第五章 GaAs/InGaAs/GaAs纳米线径向量子阱结构 | 第101-114页 |
| 5.1 GaAs/InGaAs/GaAs纳米线径向量子阱结构的制备 | 第101-102页 |
| 5.2 GaAs/InGaAs/GaAs纳米线径向量子阱结构的形貌与结构表征 | 第102-104页 |
| 5.3 GaAs/InGaAs/GaAs纳米线径向量子阱结构的光学特性 | 第104-111页 |
| 5.3.1 纳米线径向量子阱结构的PL谱特性 | 第104-107页 |
| 5.3.2 纳米线径向量子阱结构的F-P腔谐振特性 | 第107-111页 |
| 5.4 本章小结 | 第111页 |
| 参考文献 | 第111-114页 |
| 第六章 硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线结构 | 第114-130页 |
| 6.1 硅基GaAs/InAs纳米线轴向异质结构 | 第114-120页 |
| 6.1.1 实验过程 | 第115-116页 |
| 6.1.2 结果与讨论 | 第116-120页 |
| 6.2 硅基GaAs/InAs纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第120-125页 |
| 6.2.1 金薄膜催化的硅基GaAs/InAs纳米线径向异质结构 | 第120-121页 |
| 6.2.2 纳米线密度对GaAs纳米线侧壁InAs量子点形成的影响 | 第121-122页 |
| 6.2.3 硅基GaAs/InAs纳米线/量子点径向异维复合结构 | 第122-125页 |
| 6.3 本章小结 | 第125页 |
| 参考文献 | 第125-130页 |
| 第七章 基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线异质结构的光伏器件研究 | 第130-138页 |
| 7.1 基于多节Ⅲ-Ⅴ族纳米线径向pn结阵列的太阳能电池 | 第130-134页 |
| 7.2 GaAs纳米线径向pn结阵列二极管 | 第134-136页 |
| 7.3 本章小结 | 第136页 |
| 参考文献 | 第136-138页 |
| 第八章 总结与展望 | 第138-141页 |
| 8.1 工作总结 | 第138-140页 |
| 8.2 未来工作展望 | 第140-141页 |
| 缩略语 | 第141-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第143-148页 |
| 攻读博士学位期间申请发明专利情况 | 第148页 |
