| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 课题来源 | 第12页 |
| 1.2 课题研究目的和意义 | 第12-13页 |
| 1.3 国内外研究概况 | 第13-20页 |
| 1.3.1 一维和二维材料的研究进展 | 第13-18页 |
| 1.3.2 纳米肖特基二极管的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 肖特基势垒理论 | 第22-33页 |
| 2.1 肖特基势垒的发展历史 | 第22-26页 |
| 2.1.1 肖特基势垒的形成 | 第22-24页 |
| 2.1.2 理论模型 | 第24-26页 |
| 2.2 肖特基势垒的传输机制 | 第26-29页 |
| 2.2.1 金属半导体界面的热电子发射 | 第26-27页 |
| 2.2.2 金属半导体界面的非理想效应 | 第27-29页 |
| 2.3 肖特基势垒的参数提取 | 第29-32页 |
| 2.3.1 电流-电压特性曲线 | 第29-30页 |
| 2.3.2 电容-电压特性曲线 | 第30-31页 |
| 2.3.3 内部光发射技术 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 铂纳米薄膜/锗肖特基二极管电传输性能探究 | 第33-46页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 实验设计 | 第34-37页 |
| 3.3 铂纳米薄膜/锗肖特基二极管 | 第37-39页 |
| 3.3.1 原子力显微镜形貌表征 | 第37-38页 |
| 3.3.2 X射线光电子能谱表征 | 第38-39页 |
| 3.4 铂纳米薄膜/锗肖特基二极管的电学性能研究 | 第39-45页 |
| 3.4.1 正向偏压下I-V特性曲线随温度的变化趋势 | 第39-41页 |
| 3.4.2 势垒的不均匀性分析和修正的理查森常数 | 第41-43页 |
| 3.4.3 退火温度对肖特基参数的影响 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 金纳米颗粒/锗肖特基二极管电传输性能探究 | 第46-57页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 实验设计 | 第47-48页 |
| 4.3 金纳米颗粒/锗肖特基二极管 | 第48-51页 |
| 4.3.1 原子力显微镜形貌表征 | 第48-49页 |
| 4.3.2 不均匀性对纳米肖特基势垒的影响 | 第49-51页 |
| 4.4 金纳米颗粒/锗肖特基二极管的电学性能研究 | 第51-56页 |
| 4.4.1 金纳米颗粒/锗和金纳米薄膜/锗电输运特性的差异 | 第51-52页 |
| 4.4.2 电输运特性和纳米肖特基二极管尺寸的关系 | 第52-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 符号索引 | 第63-64页 |
| 插图索引 | 第64-66页 |
| 表格索引 | 第66-67页 |
| 作者在攻读硕士学位期间科研成果 | 第67-68页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所参与的项目 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
