| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 光通信系统简介 | 第10-11页 |
| 1.2 光接收机简介 | 第11-12页 |
| 1.3 光接收机的国内外研究进展 | 第12-16页 |
| 1.4 论文研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 基于SiGe BiCMOS工艺的光接收机基本理论 | 第18-49页 |
| 2.1 光接收机的数据传输格式 | 第18-23页 |
| 2.2 光电探测器基础 | 第23-30页 |
| 2.2.1 光电探测器工作机理及特性参数 | 第23-26页 |
| 2.2.2 PN型光电探测器 | 第26页 |
| 2.2.3 PIN光电探测器 | 第26-27页 |
| 2.2.4 金属-半导体-金属光电探测器 | 第27-29页 |
| 2.2.5 雪崩击穿光电探测器 | 第29页 |
| 2.2.6 光电晶体管 | 第29-30页 |
| 2.3 光接收机模拟前端放大电路概述 | 第30-35页 |
| 2.3.1 跨阻放大器 | 第30-33页 |
| 2.3.2 限幅放大器 | 第33-34页 |
| 2.3.3 输出缓冲级 | 第34-35页 |
| 2.4 带宽扩展技术 | 第35-45页 |
| 2.4.1 串联电感峰化技术 | 第35-38页 |
| 2.4.2 并联电感峰化技术 | 第38-39页 |
| 2.4.3 桥接式并联网络 | 第39-40页 |
| 2.4.4 有源电感峰化技术 | 第40-41页 |
| 2.4.5 电容峰化技术 | 第41-42页 |
| 2.4.6 电容简并 | 第42-44页 |
| 2.4.7 零极点对消 | 第44页 |
| 2.4.8 负电容补偿和自举电路技术 | 第44-45页 |
| 2.5 方波的频域与时域 | 第45-49页 |
| 2.5.1 理想方波的频谱 | 第46-47页 |
| 2.5.2 频域与时域的关系 | 第47-48页 |
| 2.5.3 方波与带宽的关系 | 第48-49页 |
| 第三章 BiCMOS光电探测器的模拟与设计 | 第49-65页 |
| 3.1 基于标准SiGe BiCMOS工艺光电探测器概述 | 第49-65页 |
| 3.1.1 双光电二极管 | 第51-57页 |
| 3.1.2 PIN光电探测器 | 第57-62页 |
| 3.1.3 HPT光电探测器 | 第62-63页 |
| 3.1.4 基于SiGe BiCMOS工艺的全差分光电探测器 | 第63-65页 |
| 第四章 BiCMOS宽带光接收机前端模拟电路设计 | 第65-106页 |
| 4.1 跨阻放大器设计 | 第65-87页 |
| 4.1.1 传统型RGC跨阻放大器 | 第66-70页 |
| 4.1.2 基于标准CMOS工艺的宽带跨阻放大器设计 | 第70-80页 |
| 4.1.3 基于SiGe HBT晶体管的宽带跨阻放大器设计 | 第80-86页 |
| 4.1.4 全差分跨阻放大器 | 第86-87页 |
| 4.2 限幅放大器设计 | 第87-99页 |
| 4.2.1 Cherry Hooper限幅放大器 | 第87-91页 |
| 4.2.2 反比例缩放限幅放大器 | 第91-93页 |
| 4.2.3 有源反馈限幅放大器 | 第93-99页 |
| 4.3 输出缓冲级设计 | 第99-101页 |
| 4.4 全差分光接收机前端模拟电路仿真 | 第101-106页 |
| 4.4.1 基于CMOS工艺的全差分光接收机整体仿真 | 第101-103页 |
| 4.4.2 基于SiGe HBT工艺的全差分光接收机整体仿真 | 第103-106页 |
| 第五章 光接收机版图设计与流片测试 | 第106-124页 |
| 5.1 版图设计要点 | 第106-109页 |
| 5.1.1 天线效应 | 第107页 |
| 5.1.2 闩锁效应 | 第107-108页 |
| 5.1.3 金属走线承载电流能力 | 第108页 |
| 5.1.4 寄生参数 | 第108-109页 |
| 5.1.5 其他高速电路的版图设计要点 | 第109页 |
| 5.2 光电探测器版图设计与流片测试 | 第109-115页 |
| 5.2.1 光电探测器版图设计 | 第109-110页 |
| 5.2.2 光电探测器的测试 | 第110-115页 |
| 5.3 光接收机前端模拟电路版图设计与流片测试 | 第115-124页 |
| 5.3.1 光接收机版图设计 | 第115-118页 |
| 5.3.2 光接收机的测试 | 第118-124页 |
| 第六章 总结与展望 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-135页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第135-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
