| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第14-48页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-22页 |
| 1.1.1 功率放大器发展历程 | 第15-16页 |
| 1.1.2 功率放大器研究分类 | 第16-19页 |
| 1.1.3 功率放大器文献调研 | 第19-22页 |
| 1.2 研究基础 | 第22-28页 |
| 1.2.1 半导体材料概况 | 第22-24页 |
| 1.2.2 功率晶体管概况 | 第24-28页 |
| 1.3 功率晶体管建模研究现状 | 第28-32页 |
| 1.3.1 功率晶体管器件建模概况 | 第28-31页 |
| 1.3.2 Ⅲ-Ⅴ族HBT建模研究现状 | 第31-32页 |
| 1.4 射频与微波功率放大器设计研究现状 | 第32-44页 |
| 1.4.1 射频与微波功率放大器设计概况 | 第32-42页 |
| 1.4.2 集成功率放大器设计的研究现状 | 第42-43页 |
| 1.4.3 分立功率放大器设计的研究现状 | 第43-44页 |
| 1.5 论文主要工作和创新 | 第44-46页 |
| 1.6 论文结构及内容安排 | 第46-48页 |
| 第二章 功率晶体管建模方法研究 | 第48-70页 |
| 2.1 HBT功率晶体管及其现有模型回顾 | 第48-52页 |
| 2.1.1 HBT功率晶体管器件基础 | 第48-50页 |
| 2.1.2 现有Ⅲ-Ⅴ族HBT模型回顾 | 第50-52页 |
| 2.2 利用神经网络映射改进的HBT模型 | 第52-57页 |
| 2.2.1 神经网络映射建模的技术简介 | 第52-54页 |
| 2.2.2 神经网络映射改进的HBT模型 | 第54-56页 |
| 2.2.3 神经网络映射模型的建模过程 | 第56-57页 |
| 2.3 GaAs HBT功率晶体管神经网络映射建模 | 第57-69页 |
| 2.3.1 GaAs HBT器件AHBT粗模型建模 | 第58-64页 |
| 2.3.2 GaAs HBT神经网络映射方法建模 | 第64-66页 |
| 2.3.3 GaAs HBT神经网络映射模型验证 | 第66-69页 |
| 2.4 章节小结 | 第69-70页 |
| 第三章 集成功率放大器设计与研究 | 第70-104页 |
| 3.1 现有宽带CMOS功率放大器回顾 | 第70-77页 |
| 3.1.1 分布式结构设计技术 | 第71-72页 |
| 3.1.2 平衡式结构设计技术 | 第72-73页 |
| 3.1.3 变压器与RLC设计技术 | 第73-74页 |
| 3.1.4 负反馈结构设计技术 | 第74-75页 |
| 3.1.5 晶体管堆叠设计技术 | 第75-77页 |
| 3.2 宽带CMOS功率放大器设计 | 第77-96页 |
| 3.2.1 三级单端功率放大器 | 第78-85页 |
| 3.2.2 双级差分功率放大器 | 第85-89页 |
| 3.2.3 双级堆叠功率放大器 | 第89-96页 |
| 3.3 宽带CMOS功率放大器的实现 | 第96-102页 |
| 3.3.1 三级单端功率放大器的实现 | 第97-98页 |
| 3.3.2 双级差分功率放大器的实现 | 第98-100页 |
| 3.3.3 双级堆叠功率放大器的实现 | 第100-102页 |
| 3.4 章节小结 | 第102-104页 |
| 第四章 分立功率放大器设计与研究 | 第104-120页 |
| 4.1 现有高效双级开关功率放大器的设计回顾 | 第104-108页 |
| 4.1.1 谐波注入技术 | 第104-106页 |
| 4.1.2 逆F类驱动F类功放设计方法 | 第106-108页 |
| 4.2 改进型逆F类驱动F类双级功率放大器设计 | 第108-114页 |
| 4.2.1 设计原理及创新点 | 第108-112页 |
| 4.2.2 设计结果 | 第112-114页 |
| 4.3 改进型逆F类驱动F类双级功率放大器实现 | 第114-118页 |
| 4.4 章节小结 | 第118-120页 |
| 第五章 总结和展望 | 第120-122页 |
| 5.1 本文贡献 | 第120-121页 |
| 5.2 工作展望 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-142页 |
| 个人简历、攻博期间发表的学术论文与研究成果 | 第142-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |