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半固态球状枝晶形成过程的相场法数值模拟

摘要第3-4页
Abstract第4页
第1章 绪论第7-21页
    1.1 引言第7-8页
    1.2 文献综述第8-17页
        1.2.1 半固态微观组织形成机制研究与发展第8-12页
        1.2.2 相场法的研究发展第12-17页
    1.3 计算方法的发展第17-18页
        1.3.1 有限差分法第17页
        1.3.2 自适应网格法第17-18页
        1.3.3 有限元法第18页
    1.4 发展中存在的问题及趋势第18-19页
    1.5 本文的主要研究第19页
    1.6 计算流程第19-21页
第2章 相场模型的建立第21-26页
    2.1 控制方程的建立第21-23页
        2.1.1 相场控制方程第21-22页
        2.1.2 溶质场控制方程第22页
        2.1.3 温度场控制方程第22-23页
        2.1.4 流场控制方程第23页
    2.2 多元合金相场模型第23-24页
    2.3 相场参数取值第24-25页
    2.4 考虑枝晶自旋第25页
    2.5 本章小结第25-26页
第3章 控制方程求解及后期处理第26-36页
    3.1 控制方程的数值计算第26-31页
        3.1.1 控制方程的离散第26-27页
        3.1.2 控制方程的数值算法第27-28页
        3.1.3 温度场控制方程离散第28-29页
        3.1.4 流场方程的数值算法第29-31页
        3.1.5 稳定性条件第31页
    3.2 初始条件和边界条件的确定第31-33页
        3.2.1 尖端半径生长速度的计算第32-33页
        3.2.2 材料的物性参数第33页
    3.3 程序的编制第33页
        3.3.1 程序的系统结构第33页
    3.4 后期处理第33-34页
    3.5 本章小结第34-36页
第4章 各因素对二元合金枝晶生长的影响第36-54页
    4.1 枝晶自旋对晶粒生长的影响第36-42页
        4.1.1 枝晶形貌第36-38页
        4.1.2 溶质浓度分布第38-42页
    4.2 过冷度对二元合金枝晶生长的影响第42-46页
        4.2.1 枝晶形貌第42-44页
        4.2.2 溶质浓度分布第44-46页
    4.3 流速对二元合金枝晶生长的影响第46-53页
        4.3.1 枝晶形貌第46-48页
        4.3.2 溶质浓度分布第48-53页
    4.4 本章小结第53-54页
第5章 三元合金枝晶生长数值模拟第54-67页
    5.1 晶核自旋作用下枝晶生长演变第54-61页
        5.1.1 枝晶形貌第54-56页
        5.1.2 溶质浓度分布第56-61页
    5.2 过冷度对二元合金枝晶生长的影响第61-63页
        5.2.1 枝晶形貌第61页
        5.2.2 溶质浓度分布第61-63页
    5.3 流速对旋转流场中的晶粒生长的影响第63-66页
        5.3.1 枝晶形貌第63-64页
        5.3.2 溶质浓度分布第64-66页
    5.4 本章小结第66-67页
第6章 多晶粒生长机理的相场法模拟第67-79页
    6.1 半固态多晶粒生长过程第67-73页
        6.1.1 枝晶形貌第67-69页
        6.1.2 溶质浓度分布第69-73页
    6.2 过冷度对多晶粒生长的影响第73-78页
        6.2.1 枝晶形貌第73-74页
        6.2.2 溶质浓度分布第74-78页
    6.3 本章小结第78-79页
第7章 结论第79-81页
参考文献第81-86页
攻读硕士期间发表的论文第86-87页
致谢第87-88页

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