半固态球状枝晶形成过程的相场法数值模拟
摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4页 |
第1章 绪论 | 第7-21页 |
1.1 引言 | 第7-8页 |
1.2 文献综述 | 第8-17页 |
1.2.1 半固态微观组织形成机制研究与发展 | 第8-12页 |
1.2.2 相场法的研究发展 | 第12-17页 |
1.3 计算方法的发展 | 第17-18页 |
1.3.1 有限差分法 | 第17页 |
1.3.2 自适应网格法 | 第17-18页 |
1.3.3 有限元法 | 第18页 |
1.4 发展中存在的问题及趋势 | 第18-19页 |
1.5 本文的主要研究 | 第19页 |
1.6 计算流程 | 第19-21页 |
第2章 相场模型的建立 | 第21-26页 |
2.1 控制方程的建立 | 第21-23页 |
2.1.1 相场控制方程 | 第21-22页 |
2.1.2 溶质场控制方程 | 第22页 |
2.1.3 温度场控制方程 | 第22-23页 |
2.1.4 流场控制方程 | 第23页 |
2.2 多元合金相场模型 | 第23-24页 |
2.3 相场参数取值 | 第24-25页 |
2.4 考虑枝晶自旋 | 第25页 |
2.5 本章小结 | 第25-26页 |
第3章 控制方程求解及后期处理 | 第26-36页 |
3.1 控制方程的数值计算 | 第26-31页 |
3.1.1 控制方程的离散 | 第26-27页 |
3.1.2 控制方程的数值算法 | 第27-28页 |
3.1.3 温度场控制方程离散 | 第28-29页 |
3.1.4 流场方程的数值算法 | 第29-31页 |
3.1.5 稳定性条件 | 第31页 |
3.2 初始条件和边界条件的确定 | 第31-33页 |
3.2.1 尖端半径生长速度的计算 | 第32-33页 |
3.2.2 材料的物性参数 | 第33页 |
3.3 程序的编制 | 第33页 |
3.3.1 程序的系统结构 | 第33页 |
3.4 后期处理 | 第33-34页 |
3.5 本章小结 | 第34-36页 |
第4章 各因素对二元合金枝晶生长的影响 | 第36-54页 |
4.1 枝晶自旋对晶粒生长的影响 | 第36-42页 |
4.1.1 枝晶形貌 | 第36-38页 |
4.1.2 溶质浓度分布 | 第38-42页 |
4.2 过冷度对二元合金枝晶生长的影响 | 第42-46页 |
4.2.1 枝晶形貌 | 第42-44页 |
4.2.2 溶质浓度分布 | 第44-46页 |
4.3 流速对二元合金枝晶生长的影响 | 第46-53页 |
4.3.1 枝晶形貌 | 第46-48页 |
4.3.2 溶质浓度分布 | 第48-53页 |
4.4 本章小结 | 第53-54页 |
第5章 三元合金枝晶生长数值模拟 | 第54-67页 |
5.1 晶核自旋作用下枝晶生长演变 | 第54-61页 |
5.1.1 枝晶形貌 | 第54-56页 |
5.1.2 溶质浓度分布 | 第56-61页 |
5.2 过冷度对二元合金枝晶生长的影响 | 第61-63页 |
5.2.1 枝晶形貌 | 第61页 |
5.2.2 溶质浓度分布 | 第61-63页 |
5.3 流速对旋转流场中的晶粒生长的影响 | 第63-66页 |
5.3.1 枝晶形貌 | 第63-64页 |
5.3.2 溶质浓度分布 | 第64-66页 |
5.4 本章小结 | 第66-67页 |
第6章 多晶粒生长机理的相场法模拟 | 第67-79页 |
6.1 半固态多晶粒生长过程 | 第67-73页 |
6.1.1 枝晶形貌 | 第67-69页 |
6.1.2 溶质浓度分布 | 第69-73页 |
6.2 过冷度对多晶粒生长的影响 | 第73-78页 |
6.2.1 枝晶形貌 | 第73-74页 |
6.2.2 溶质浓度分布 | 第74-78页 |
6.3 本章小结 | 第78-79页 |
第7章 结论 | 第79-81页 |
参考文献 | 第81-86页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第86-87页 |
致谢 | 第87-88页 |