| 摘要 | 第3-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 光反馈半导体激光器产生混沌 | 第14-18页 |
| 1.2.1 镜面光反馈 | 第14-15页 |
| 1.2.2 选频光反馈 | 第15页 |
| 1.2.3 过滤光反馈 | 第15-16页 |
| 1.2.4 布拉格光栅反馈 | 第16页 |
| 1.2.5 振偏光反馈 | 第16-17页 |
| 1.2.6 多腔光反馈 | 第17-18页 |
| 1.3 集成的混沌半导体激光器 | 第18-24页 |
| 1.3.1 集成增益区-相位区-反馈层 | 第18-19页 |
| 1.3.2 集成光放大区-波导-光电探测器 | 第19-21页 |
| 1.3.3 集成波导-相位-空气隙 | 第21页 |
| 1.3.4 集成相位区-光放大区 | 第21-23页 |
| 1.3.5 集成耦合激光器 | 第23页 |
| 1.3.6 其他相关研究 | 第23-24页 |
| 1.4 集成结构对比 | 第24-27页 |
| 1.5 本文的研究内容及意义 | 第27-29页 |
| 第二章 外腔半导体激光器的动态特性 | 第29-51页 |
| 2.1 外腔半导体激光器的基本理论 | 第29页 |
| 2.2 外腔半导体激光器的基本特征 | 第29-33页 |
| 2.2.1 时延特征 | 第29-31页 |
| 2.2.2 弛豫振荡特征 | 第31-32页 |
| 2.2.3 外腔振荡特征 | 第32-33页 |
| 2.3 腔长的影响 | 第33-35页 |
| 2.3.1 腔长对外腔振荡频率的影响 | 第33页 |
| 2.3.2 腔长对频谱带宽的影响 | 第33-35页 |
| 2.4 参数对时延特征的影响 | 第35-42页 |
| 2.4.1 载流子寿命的影响 | 第35-37页 |
| 2.4.2 注入电流比的影响 | 第37-38页 |
| 2.4.3 时延特征的分布图 | 第38-40页 |
| 2.4.4 时延特征值与多倍时延峰 | 第40-42页 |
| 2.5 参数对带宽的影响 | 第42-48页 |
| 2.5.1 载流子寿命的影响 | 第43-44页 |
| 2.5.2 注入电流比的影响 | 第44-46页 |
| 2.5.3 弛豫振荡频率的影响 | 第46-48页 |
| 2.6 本章小结 | 第48-51页 |
| 第三章 半导体激光器的参数测试 | 第51-55页 |
| 3.1 半导体激光器参数测量的装置图 | 第51-52页 |
| 3.2 半导体激光器参数测量方法 | 第52-53页 |
| 3.2.1 半导体激光器芯片频率响应曲线 | 第52-53页 |
| 3.2.2 光纤频率响应曲线 | 第53页 |
| 3.2.3 P-I特性分析 | 第53页 |
| 3.2.4 其余参数的计算 | 第53页 |
| 3.3 半导体激光器参数测量的结果 | 第53-55页 |
| 第四章 面向蝶形封装的混沌外腔半导体激光器的设计及动态特性 | 第55-75页 |
| 4.1 基本结构及分析思路 | 第56-57页 |
| 4.1.1 原理图 | 第56-57页 |
| 4.1.2 分析思路 | 第57页 |
| 4.2 面向蝶形封装的外腔半导体激光器的动态特性 | 第57-61页 |
| 4.3 高带宽混沌生成机理的探讨 | 第61-66页 |
| 4.3.1 载流子寿命的影响 | 第61-62页 |
| 4.3.2 注入电流比的影响 | 第62-63页 |
| 4.3.3 驰豫振荡频率的影响 | 第63-65页 |
| 4.3.4 反馈时延的影响 | 第65页 |
| 4.3.5 小结 | 第65-66页 |
| 4.4 高带宽生成 | 第66-68页 |
| 4.4.1 带宽分布图 | 第66-67页 |
| 4.4.2 高带宽混沌的特征 | 第67-68页 |
| 4.5 集成长腔的稳定性分析 | 第68-72页 |
| 4.5.1 增加弛豫振荡频率来实现外腔机制的转换 | 第69-70页 |
| 4.5.2 腔长微调的频谱带宽变化 | 第70-72页 |
| 4.6 本章小结 | 第72-75页 |
| 第五章 总结与展望 | 第75-79页 |
| 5.1 本文总结 | 第75-77页 |
| 5.2 对未来发展方向的展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
| 攻读硕士期间发表或者录用的学术论文目录 | 第91页 |