非晶InGaZnO4薄膜的电子输运性质研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| 1.1 IGZO薄膜的研究现状 | 第9-16页 |
| 1.1.1 薄膜的结构和能带 | 第9-12页 |
| 1.1.2 薄膜的电输运性质 | 第12-14页 |
| 1.1.3 薄膜的制备与应用 | 第14-16页 |
| 1.2 无序均匀系统中的量子输运 | 第16-23页 |
| 1.2.1 介观系统 | 第16-17页 |
| 1.2.2 弱局域化现象 | 第17-19页 |
| 1.2.3 退相干散射机制 | 第19-22页 |
| 1.2.4 电子-电子相互作用 | 第22-23页 |
| 1.3 金属性颗粒系统中的量子输运 | 第23-27页 |
| 1.3.1 金属性颗粒系统中的纵向输运 | 第23-25页 |
| 1.3.2 金属性颗粒系统中的霍尔输运 | 第25-27页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第27-28页 |
| 第二章 样品制备与表征 | 第28-40页 |
| 2.1 样品的制备 | 第28-31页 |
| 2.1.1 磁控溅射仪原理 | 第28-29页 |
| 2.1.2 薄膜的形成过程 | 第29-31页 |
| 2.1.3 样品的制备条件 | 第31页 |
| 2.2 样品的表征 | 第31-37页 |
| 2.2.1 样品的厚度测量 | 第31-32页 |
| 2.2.2 样品的结构表征 | 第32-33页 |
| 2.2.3 样品的形貌表征 | 第33-36页 |
| 2.2.4 样品组分分析 | 第36-37页 |
| 2.3 电学性质测量 | 第37-40页 |
| 2.3.1 物理性质测量系统 | 第37-38页 |
| 2.3.2 电阻率测量 | 第38-39页 |
| 2.3.3 霍尔效应测量 | 第39-40页 |
| 第三章 非晶IGZO薄膜中的电子-电子相互作用 | 第40-61页 |
| 3.1 薄膜的成分、结构及形貌分析 | 第40-49页 |
| 3.1.1 薄膜厚度的确定 | 第40-42页 |
| 3.1.2 薄膜的成分分析 | 第42-44页 |
| 3.1.3 薄膜的结构分析 | 第44页 |
| 3.1.4 薄膜的形貌分析 | 第44-49页 |
| 3.2 薄膜的电输运性质 | 第49-52页 |
| 3.2.1 薄膜高温区金属导电特性 | 第49-51页 |
| 3.2.2 薄膜低温区电导率的修正 | 第51-52页 |
| 3.3 三维IGZO薄膜中的电子-电子相互作用 | 第52-57页 |
| 3.3.1 电子-电子相互作用对电导率的修正 | 第52-55页 |
| 3.3.2 电子-电子相互作用对霍尔系数的影响 | 第55-57页 |
| 3.4 超薄IGZO薄膜中的电子-电子相互作用 | 第57-60页 |
| 3.4.1 电子-电子相互作用对电导率的修正 | 第57-59页 |
| 3.4.2 电子-电子相互作用对霍尔系数的影响 | 第59-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 非晶IGZO薄膜中的电子退相干机制 | 第61-72页 |
| 4.1 三维薄膜中的电子退相干机制 | 第61-67页 |
| 4.2 超薄薄膜中的电子退相干机制 | 第67-71页 |
| 4.3 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
