摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第一章 绪论 | 第10-21页 |
·研究背景 | 第10-11页 |
·软磁薄膜的应用及研究现状 | 第11-12页 |
·纳米晶软磁薄膜 | 第11页 |
·软磁颗粒膜 | 第11-12页 |
·软磁多层膜 | 第12页 |
·软磁薄膜的Néer壁转变厚度 | 第12-15页 |
·软磁薄膜畴壁能量的计算 | 第12-14页 |
·提高软磁薄膜Néer壁转变厚度 | 第14-15页 |
·软磁薄膜的条纹畴转变厚度 | 第15-16页 |
·本文的研究内容及意义 | 第16-18页 |
参考文献 | 第18-21页 |
第二章 薄膜制备和表征方法 | 第21-31页 |
·薄膜的制备 | 第21-23页 |
·磁控溅射装置 | 第21-22页 |
·薄膜制备流程 | 第22-23页 |
·薄膜的性能表征方法 | 第23-30页 |
·薄膜的厚度测定 | 第23-24页 |
·薄膜的成分测定 | 第24页 |
·薄膜晶体结构分析 | 第24-25页 |
·薄膜的表面形貌及微观磁畴结构观测 | 第25-27页 |
·薄膜的宏观磁性测量 | 第27页 |
·薄膜磁各向异性的测试 | 第27-30页 |
参考文献 | 第30-31页 |
第三章 薄膜衬底的选取及溅射工艺优化 | 第31-40页 |
·衬底的选取 | 第31-32页 |
·薄膜溅射工艺优化 | 第32-36页 |
·溅射速率的测定 | 第32页 |
·Au的溅射条件对薄膜结晶和取向的影响 | 第32-34页 |
·Ti的溅射条件对薄膜结晶和取向的影响 | 第34-35页 |
·基片旋转对薄膜结晶和取向的影响 | 第35-36页 |
·Co的溅射条件对薄膜结晶和取向的影响 | 第36页 |
·Ir成分的确定 | 第36-37页 |
·高c轴取向hcp-Co_(80)Ir_(20)薄膜的制备 | 第37-38页 |
·小结 | 第38-39页 |
参考文献 | 第39-40页 |
第四章 c轴取向的hcp-Co_(83)Ir_(17)软磁薄膜的畴结构及其随外场演化特征 | 第40-49页 |
·Co_(83)Ir_(17)薄膜的晶体结构 | 第40-41页 |
·Co_(83)Ir_(17)薄膜的表面形貌 | 第41-42页 |
·原子力显微镜表征结果 | 第41页 |
·透射电子显微镜表征结果 | 第41-42页 |
·Co_(83)Ir_(17)薄膜的静态磁性 | 第42-43页 |
·Co_(83)Ir_(17)薄膜的微观磁畴结构 | 第43-46页 |
·退磁状态下的样品的微观磁畴结构 | 第43-44页 |
·磁化反转过程中的样品的微观磁畴结构 | 第44-46页 |
·小结 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-49页 |
第五章 c轴取向的Co_(81)Ir_(19)薄膜Néer壁临界转换厚度 | 第49-60页 |
·Co_(81)Ir_(19)薄膜的制备 | 第49页 |
·Co_(81)Ir_(19)薄膜的晶体结构 | 第49-50页 |
·Co_(81)Ir_(19)薄膜的表面形貌 | 第50-52页 |
·原子力显微镜表征结果 | 第50-51页 |
·透射电子显微镜表征结果 | 第51-52页 |
·Co_(81)Ir_(19)薄膜的静态磁性 | 第52-53页 |
·VSM测试结果 | 第52页 |
·SQUID测试结果 | 第52-53页 |
·Co_(81)Ir_(19)薄膜的磁各向异性表征 | 第53-55页 |
·50 nm Co_(81)Ir_(19)薄膜的微观磁畴结构观测 | 第55-56页 |
·不同厚度Co_(81)Ir_(19)薄膜磁力显微镜测试图 | 第56-57页 |
·Co_(81)Ir_(19)薄膜奈尔壁转变厚度 | 第57-58页 |
·小结 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-60页 |
第六章 成分对c轴取向Co_(1-x)Ir_x薄膜微观磁畴结构及畴壁的调控 | 第60-68页 |
·不同成分Co_(1-x)Ir_x薄膜的制备 | 第60-61页 |
·Co_(1-x)Ir_x薄膜的成分确定 | 第61页 |
·Co_(1-x)Ir_x薄膜的晶体结构 | 第61-62页 |
·Co_(1-x)Ir_x薄膜的静态磁性 | 第62-65页 |
·Co_(1-x)Ir_x薄膜的微观磁畴结构 | 第65-66页 |
·小结 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-68页 |
第七章 结论和展望 | 第68-70页 |
·主要结论 | 第68页 |
·展望 | 第68-70页 |
在学期间的研究成果 | 第70-71页 |
致谢 | 第71页 |