摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
目录 | 第9-12页 |
1 绪论 | 第12-22页 |
·半导体光电薄膜材料研究概况 | 第12-13页 |
·半导体材料 | 第12页 |
·半导体薄膜材料在光电领域的应用 | 第12-13页 |
·ZnO薄膜的研究历史和发展现状 | 第13-15页 |
·ZnO的基本性质 | 第13-14页 |
·ZnO材料的研究历史 | 第14-15页 |
·ZnO薄膜的发展现状 | 第15页 |
·ZnO掺杂的研究概况 | 第15-17页 |
·Mg和S掺杂ZnO薄膜的研究现状 | 第17-19页 |
·Mg_xZn_(1-x)O薄膜的特性与研究现状 | 第17-18页 |
·ZnO_(1-y)S_y薄膜的特性与研究现状 | 第18-19页 |
·本课题的选题背景和研究内容 | 第19-22页 |
·选题背景 | 第19-20页 |
·研究内容 | 第20-22页 |
2 外延薄膜的制备工艺与表征测试方法 | 第22-40页 |
·半导体薄膜的制备方法简介 | 第22-25页 |
·金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第22-23页 |
·分子束外延法(MBE) | 第23-24页 |
·溅射法(Sputter) | 第24页 |
·脉冲激光沉积(PLD) | 第24-25页 |
·脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第25-30页 |
·脉冲激光沉积概述 | 第25页 |
·脉冲激光沉积的原理 | 第25-27页 |
·脉冲激光沉积系统 | 第27-30页 |
·Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜的制备工艺 | 第30-33页 |
·Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y靶材的制备 | 第30-31页 |
·Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜的制备 | 第31-33页 |
·Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜的表征手段 | 第33-40页 |
·原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM) | 第33-34页 |
·X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD) | 第34-35页 |
·紫外-可见分光光度计(UV-VIS Spectrophotometer) | 第35页 |
·X射线光电子能谱(X-Ray Photoelectron Spectroscopy,XPS) | 第35-37页 |
·拉曼光谱(Raman Spectrum) | 第37-40页 |
3 沉积氧压对Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜结构和性能的影响 | 第40-51页 |
·样品的制备 | 第40页 |
·实验结果与讨论 | 第40-50页 |
·沉积氧压对Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜表面形貌的影响 | 第40-44页 |
·沉积氧压对Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜相结构的影响 | 第44-45页 |
·沉积氧压对Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜成分的影响 | 第45-47页 |
·沉积氧压对Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜光学性能的影响 | 第47-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
4 衬底温度对Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜结构和性能的影响 | 第51-63页 |
·样品的制备 | 第51-52页 |
·实验结果与讨论 | 第52-62页 |
·衬底温度对Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜表面形貌的影响 | 第52-55页 |
·衬底温度对Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜相结构的影响 | 第55-56页 |
·衬底温度对Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜成分的影响 | 第56-60页 |
·衬底温度对Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜光学性能的影响 | 第60-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
5 不同Mg和S含量的单相Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜性能讨论 | 第63-80页 |
·不同Mg含量Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜的制备和结果讨论 | 第63-71页 |
·样品的制备 | 第63页 |
·结果讨论 | 第63-71页 |
·不同S含量Mg_xZn_(1-x)O_(1-y)S_y薄膜的制备和结果讨论 | 第71-78页 |
·硫含量变化对薄膜晶格常数的影响 | 第72-74页 |
·不同硫含量薄膜XPS结果讨论 | 第74-76页 |
·不同硫含量薄膜光学性质讨论 | 第76-78页 |
·本章小结 | 第78-80页 |
结论 | 第80-82页 |
参考文献 | 第82-88页 |
致谢 | 第88-89页 |