基于氧化铪阻变存储器件的构建及机理研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-9页
第一章 绪论	第9-14页
·引言	第9页
·HfO_2阻变存储器研究现状	第9-13页
·电极研究	第10-11页
·阻变层结构	第11-12页
·HfO_2相关的器件模型	第12-13页
·本文研究意义及研究内容	第13-14页
第二章 薄膜制备及阻变测试	第14-23页
·薄膜制备与表征	第14-16页
·阻变器件电学测试	第16-23页
·半导体参数分析仪基本模块	第16-19页
·SMU 模块 endurance 测试程序	第19-20页
·阻变存储器件的多值测试程序	第20-21页
·阻变存储器件的脉冲测试	第21-23页
第三章 单层 HfO_2阻变结构的研究	第23-36页
·TiN 下电极制备	第23-28页
·HfO_2溅射工艺	第28-30页
·Ni/HfO_2/TiN 阻变器件	第30-36页
·I-V 特性	第30-31页
·高低阻态分布	第31-32页
·阻变机理	第32-36页
第四章 HfO_2低功耗阻变器件的研究	第36-56页
·制备工艺	第36-37页
·Ni/HfO_2/TiOx/TiN 器件	第37-46页
·电学特性	第37-40页
·低功耗阻变机理分析	第40-46页
·Ni/HfO_2/AlO_x/TiN 器件	第46-56页
·电学特性	第46-51页
·机理分析	第51-56页
第五章 HfO_2新型结构的研究	第56-66页
·Al/VO_x/CuO/Cu 限流器件	第56-60页
·制备工艺	第56-57页
·电学特性	第57-59页
·应用	第59-60页
·氧化钒/氧化铪叠层结构	第60-66页
·电学特性	第60-61页
·仿真验证	第61-66页
第六章 总结与展望	第66-67页
参考文献	第67-73页
发表论文和科研情况	第73-75页
致谢	第75-76页