| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-12页 |
| ·高 K 材料在电子俘获存储器中的应用 | 第12-13页 |
| ·本文组织结构 | 第13-15页 |
| 第二章 电子俘获存储器简介 | 第15-21页 |
| ·电子俘获存储器原理 | 第15-16页 |
| ·编程机制简介 | 第16-18页 |
| ·热沟道电子注入 | 第16-17页 |
| ·隧穿注入 | 第17-18页 |
| ·评价 CTM 器件的性能参数 | 第18-19页 |
| ·电荷存储特性测试技术 | 第19页 |
| ·小结 | 第19-21页 |
| 第三章 铪铝氧做俘获层的沉积工艺优化 | 第21-29页 |
| ·器件的制备 | 第22-25页 |
| ·ALD 沉积系统介绍 | 第22-24页 |
| ·器件的制备 | 第24-25页 |
| ·电学测试结果及分析 | 第25-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第四章 KFM 分析不同 Al 含量的 HfAlO 存储层的电荷损失特性 | 第29-41页 |
| ·开尔文探针力显微镜技术概述 | 第29-34页 |
| ·原子力显微镜简介 | 第29-31页 |
| ·开尔文探针力显微技术简介 | 第31-33页 |
| ·实验器件的制备 | 第33-34页 |
| ·KFM 测试分析 | 第34-40页 |
| ·电荷密度的提取 | 第34-36页 |
| ·电子损失机制的比较 | 第36-38页 |
| ·激活能的提取 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第五章 总结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-46页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |