摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第1章 前言 | 第10-30页 |
·引言 | 第10页 |
·关于硫族半导体纳米材料制备的研究进展 | 第10-16页 |
·常用的硫族半导体纳米材料的合成方法 | 第10-12页 |
·具有特定形貌的硫族半导体材料的制备方法 | 第11页 |
·硫族半导体纳米薄膜的制备方法 | 第11-12页 |
·二元硫族半导体纳米材料的研究进展 | 第12-15页 |
·CdS纳米材料的研究进展 | 第12页 |
·ZnS和ZnSe纳米材料的研究进展 | 第12-13页 |
·硒化铜纳米材料的研究进展 | 第13-14页 |
·HgS纳米材料的研究进展 | 第14页 |
·SnSe等新型纳米材料的研究进展 | 第14-15页 |
·三元硫族半导体纳米材料的研究进展 | 第15-16页 |
·Cd_xZn_(1-x)S纳米材料的研究进展 | 第15-16页 |
·Cu_2SnSe_4等纳米材料的研究进展 | 第16页 |
·多元硫族半导体纳米材料的研究进展 | 第16页 |
·硫族半导体纳米材料的应用 | 第16-19页 |
·光电材料 | 第17页 |
·光催化剂 | 第17页 |
·生物医学 | 第17-18页 |
·电池材料 | 第18-19页 |
·太阳能电池材料 | 第18页 |
·锂离子电池材料 | 第18-19页 |
·其他应用 | 第19页 |
·本论文研究目的与意义 | 第19-21页 |
参考文献 | 第21-30页 |
第2章 准单分散Cd_xZn_(1-x)S纳米晶的制备及其光学性能 | 第30-50页 |
·引言 | 第30页 |
·实验部分 | 第30-31页 |
·实验药品及仪器 | 第30-31页 |
·实验方法 | 第31页 |
·结果与讨论 | 第31-46页 |
·Cd_xZn_(1-x)S纳米晶(x=0-1)的表征 | 第31-37页 |
·物相分析 | 第31-34页 |
·形貌及尺寸分析 | 第34-35页 |
·Cd_xZn_(1-x)S纳米晶的光学性能 | 第35-37页 |
·反应时间的影响 | 第37-39页 |
·晶相分析 | 第37-38页 |
·光学性能 | 第38-39页 |
·溶剂体积的影响(原料的总摩尔数不变) | 第39-42页 |
·晶相分析 | 第39-40页 |
·光学性能 | 第40-42页 |
·反应温度的影响 | 第42-44页 |
·晶相分析 | 第42页 |
·光学性能 | 第42-44页 |
·原料浓度的影响 | 第44-46页 |
·晶相分析 | 第44页 |
·光学性能 | 第44-46页 |
·小结 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-50页 |
第3章 SnSe纳米片的制备及其性能的研究 | 第50-67页 |
·引言 | 第50页 |
·实验部分 | 第50-51页 |
·实验药品及仪器 | 第50-51页 |
·实验方法 | 第51页 |
·电学性能测试方法 | 第51页 |
·结果与讨论 | 第51-62页 |
·SnSe纳米片的表征 | 第51-54页 |
·晶相分析 | 第51-52页 |
·形貌分析 | 第52-53页 |
·光学性质 | 第53-54页 |
·反应条件对产物的影响 | 第54-60页 |
·反应温度的影响 | 第54-55页 |
·反应时间的影响 | 第55-58页 |
·反应总浓度的影响 | 第58-59页 |
·pH对产品晶相的影响 | 第59-60页 |
·搅拌对产物形貌的影响 | 第60页 |
·SnSe纳米片性能的测试与分析 | 第60-62页 |
·小结 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-67页 |
第4章 3D ZnSe多级纳米结构的制备及性能 | 第67-82页 |
·引言 | 第67页 |
·实验部分 | 第67-68页 |
·实验药品及仪器 | 第67-68页 |
·实验方法 | 第68页 |
·结果与讨论 | 第68-78页 |
·三维ZnSe多级纳米结构的表征 | 第68-71页 |
·晶相分析 | 第68-69页 |
·形貌分析 | 第69-70页 |
·光学性能 | 第70-71页 |
·反应条件对产物的影响 | 第71-78页 |
·Zn/Se摩尔比的影响 | 第71-73页 |
·反应时间的影响 | 第73-78页 |
·小结 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-82页 |
第5章 结论 | 第82-83页 |
致谢 | 第83-84页 |
攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第84页 |