| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·半导体技术 | 第10-11页 |
| ·以硅(Si)材料和锗(Ge)材料为基础的微电子技术 | 第10页 |
| ·以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为基础的光电子技术 | 第10-11页 |
| ·以氮化镓(GaN)为基础的宽禁带半导体材料 | 第11页 |
| ·氮化镓 | 第11-12页 |
| ·本论文的研究背景 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要内容 | 第13-14页 |
| ·本章小结 | 第14-15页 |
| 第二章 氮化镓和表面等离子体简介 | 第15-30页 |
| ·氮化镓材料 | 第15-18页 |
| ·氮化镓的基本结构 | 第15-16页 |
| ·氮化镓的物理化学特性 | 第16-17页 |
| ·氮化镓的电光特性 | 第17-18页 |
| ·氮化镓器件 | 第18页 |
| ·表面等离子体 | 第18-29页 |
| ·表面等离子体激元 | 第18-19页 |
| ·表面等离子体的理论模型和色散关系 | 第19-22页 |
| ·表面等离子体的光学激发 | 第22-25页 |
| ·表面等离子体材料和模型 | 第25-29页 |
| ·本章结论 | 第29-30页 |
| 第三章 表面等离极化的理论研究方法 | 第30-41页 |
| ·平面波展开法 | 第31-32页 |
| ·严格耦合波分析法 | 第32-35页 |
| ·时域有限差分法 | 第35-40页 |
| ·差分方程 | 第35-38页 |
| ·稳定性条件 | 第38-39页 |
| ·过界条件 | 第39-40页 |
| ·其他理论方法 | 第40页 |
| ·本章结论 | 第40-41页 |
| 第四章 光的表面等离极化的数值模拟 | 第41-52页 |
| ·SiO_2中银质光栅金属表面等离激元 | 第41-44页 |
| ·光在氮化镓中传播时的光场分布 | 第44-45页 |
| ·氮化镓中金属光栅的模型 | 第45-46页 |
| ·光在氮化镓中银质模型后的光场分布 | 第46-49页 |
| ·光在氮化镓中铝质模型后的光场分布 | 第49-50页 |
| ·本章结论 | 第50-52页 |
| 第五章 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 作者简历 | 第59-61页 |
| 学位论文数据集 | 第61页 |