钛酸钡系铁电薄膜的制备及光学和光电行为研究
摘要 | 第1-9页 |
Abstract | 第9-12页 |
目录 | 第12-14页 |
第一章 绪论 | 第14-24页 |
·前言 | 第14页 |
·铁电薄膜研究现状 | 第14-17页 |
·铁电薄膜材料的分类 | 第14页 |
·铁电薄膜的制备方法 | 第14-15页 |
·铁电薄膜的应用 | 第15-17页 |
·钛酸钡系铁电薄膜的光学及光电行为研究现状 | 第17-22页 |
·国外研究现状 | 第17-20页 |
·国内研究现状 | 第20-22页 |
·研究目的与研究内容 | 第22-23页 |
·研究目的 | 第22页 |
·研究内容 | 第22-23页 |
·论文的结构安排 | 第23-24页 |
第二章 钛酸钡系铁电薄膜的制备及表征 | 第24-47页 |
·本章概述 | 第24页 |
·Sol-Gel法的制备及表征 | 第24-39页 |
·原理 | 第24-25页 |
·钛酸钡薄膜的制备及表征 | 第25-31页 |
·钛酸锶钡薄膜的制备及表征 | 第31-38页 |
·掺铬钛酸锶钡薄膜的制备及表征 | 第38-39页 |
·磁控溅射法的制备及表征 | 第39-46页 |
·制备工艺 | 第39-40页 |
·结构表征 | 第40-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
第三章 多晶钛酸锶钡薄膜的光学及光电行为 | 第47-68页 |
·本章概述 | 第47页 |
·多晶钛酸锶钡薄膜的光带隙能 | 第47-55页 |
·温度的影响 | 第48-52页 |
·厚度的影响 | 第52-55页 |
·单片集成多晶钛酸锶钡薄膜光调制器 | 第55-67页 |
·薄膜的MOD法制备 | 第55-56页 |
·沟槽掩埋型光波导的设计与制备 | 第56-59页 |
·光损耗的测定及理论分析 | 第59-64页 |
·光调制器的研究 | 第64-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
第四章 非晶钛酸锶钡铁电材料的光学特征 | 第68-81页 |
·本章概述 | 第68页 |
·非晶钛酸锶钡薄膜的光学性能 | 第68-76页 |
·光学常数的测定及理论分析 | 第68-73页 |
·光致发光性能及理论机制 | 第73-76页 |
·非晶钛酸锶钡薄膜光波导的光学性能 | 第76-79页 |
·本章小结 | 第79-81页 |
第五章 基于非晶钛酸钡薄膜的白光LED器件 | 第81-99页 |
·本章概述 | 第81页 |
·InGaN/GaN多量子阱LED的制备及性能 | 第81-84页 |
·制备 | 第81-82页 |
·性能测试 | 第82-84页 |
·表面光子晶体LED的制备及性能 | 第84-90页 |
·光子晶体的纳米压印制备及表征 | 第84-89页 |
·性能测试 | 第89-90页 |
·基于非晶钛酸钡薄膜多量子阱LED的制备及性能 | 第90-97页 |
·制备 | 第90-91页 |
·性能测试 | 第91-97页 |
·本章小结 | 第97-99页 |
第六章 全文总结与展望 | 第99-102页 |
·全文总结 | 第99-101页 |
·展望 | 第101-102页 |
参考文献 | 第102-115页 |
攻读博士学位期间发表的论文 | 第115-116页 |
致谢 | 第116页 |