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多基元压电复合材料的制备与性能研究

目录第1-8页
摘要第8-10页
Abstract第10-12页
第一章 绪论第12-26页
   ·选题背景及意义第12-17页
     ·压电复合材料概况第12-13页
     ·压电复合材料分类第13-14页
     ·1-3 型压电复合材料第14-16页
     ·1-3-2 型压电复合材料第16-17页
   ·多基元压电复合材料第17-19页
     ·多基元压电复合材料研究现状第17-18页
     ·多基元压电复合材料结构与类型第18页
     ·多基元压电复合材料的应用与发展前景第18-19页
     ·去耦材料研究第19页
   ·压电复合材料电极制备第19-23页
     ·化学镀镍第20-21页
     ·化学镀金第21-23页
   ·论文研究内容第23-26页
第二章 多基元压电复合材料制备与性能测试第26-34页
   ·仪器设备第26页
   ·原材料第26-27页
   ·多基元压电复合材料制备第27-28页
   ·性能测试第28-34页
     ·多基元压电复合材料一致性第28-32页
     ·多基元压电复合材料的声耦合性能第32-34页
第三章 去耦材料对多基元压电复合材料声耦合性能的研究第34-44页
   ·实验方法第34-35页
   ·去耦材料的吸声性能研究第35-36页
   ·去耦材料的去耦性能研究第36-37页
   ·温度对去耦材料性能的影响第37-39页
   ·去耦材料厚度和激发频率对多基元压电复合材料声耦合性能的影响第39-42页
   ·小结第42-44页
第四章 形状参数对多基元压电复合材料性能的影响第44-78页
   ·基元个数对多基元压电复合材料性能的影响第44-50页
     ·基元个数对多基元压电复合材料压电性能的影响第45页
     ·基元个数对多基元压电复合材料机电耦合性能的影响第45-47页
     ·基元个数对多基元压电复合材料频率特性的影响第47-48页
     ·基元个数对多基元压电复合材料声耦合性能的影响第48-50页
   ·PZT 体积分数对多基元压电复合材料性能的影响第50-59页
     ·PZT 体积分数对多基元压电复合材料压电性能的影响第51-52页
     ·PZT 体积分数对多基元压电复合材料介电性能的影响第52-54页
     ·PZT 体积分数对多基元压电复合材料机电耦合性能的影响第54-57页
     ·PZT 体积分数对多基元压电复合材料频率特性的影响第57页
     ·PZT 体积分数对多基元压电复合材料声耦合性能的影响第57-59页
   ·基底厚度对多基元压电复合材料性能的影响第59-69页
     ·基底厚度对多基元压电复合材料压电性能的影响第60-61页
     ·基底厚度对多基元压电复合材料介电性能的影响第61-64页
     ·基底厚度对多基元压电复合材料机电耦合性能的影响第64-66页
     ·基底厚度对多基元压电复合材料频率特性的影响第66-67页
     ·基底厚度对多基元压电复合材料声耦合性能的影响第67-69页
   ·柱高对多基元压电复合材料性能的影响第69-77页
     ·柱高对多基元压电复合材料压电性能的影响第70-71页
     ·柱高对多基元压电复合材料机电耦合性能的影响第71-75页
     ·柱高对多基元压电复合材料频率特性的影响第75-76页
     ·柱高对多基元压电复合材料声耦合性能的影响第76-77页
   ·小结第77-78页
第五章 压电复合材料电极制备第78-98页
   ·实验材料第78页
   ·仪器设备第78-79页
   ·实验方法第79-80页
   ·镀层性能测试第80-81页
     ·镀速及镀层形貌测试第80页
     ·结合力测试第80页
     ·耐腐蚀性测试第80-81页
     ·孔隙率测试第81页
     ·电阻率测试第81页
   ·镀液组分对镀层性能的影响第81-89页
     ·亚硫酸钠浓度研究第81-83页
     ·磷酸二氢钾浓度研究第83-84页
     ·乙二胺含量研究第84-86页
     ·添加剂对镀层性能影响的研究第86-89页
   ·施镀工艺对镀层性能的影响第89-94页
     ·温度对镀层性能的影响第89-90页
     ·pH 对镀层性能的影响第90-91页
     ·时间对镀层性能的影响第91-93页
     ·工艺条件对添加剂活性的影响第93-94页
   ·最佳条件下镀层性能第94-96页
     ·镀层形貌第94页
     ·镀层结合力第94-96页
     ·镀层孔隙率第96页
     ·镀层电阻率第96页
   ·小结第96-98页
第六章 结论与展望第98-100页
   ·结论第98-99页
   ·展望第99-100页
参考文献第100-106页
致谢第106-108页
附录第108-109页

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