| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·传统GAN基HEMT器件的研究进展 | 第10-13页 |
| ·GAN和ALGAN/GAN异质结材料在微波功率器件方面的优势 | 第10-12页 |
| ·传统GAN基HEMT器件的研究进展 | 第12-13页 |
| ·国内外对GAN基双异质结及其HEMT器件的研究进展 | 第13-15页 |
| ·本文的主要工作与安排 | 第15-18页 |
| 第二章 GAN基双异质结相关理论研究 | 第18-32页 |
| ·GAN基异质结理论基础 | 第18-21页 |
| ·异质结以及2DEG的基本理论 | 第18页 |
| ·GAN基异质结分析 | 第18-21页 |
| ·一维自洽求解薛定谔方程和泊松方程理论介绍 | 第21-23页 |
| ·一维自洽模拟的数学物理模型 | 第21-22页 |
| ·边界条件的选定和自洽求解的实现过程 | 第22-23页 |
| ·不同类型GAN基双异质结构的设计和仿真 | 第23-31页 |
| ·ALGAN/GAN单异质结 | 第23-25页 |
| ·ALGAN/GAN/ALGAN/GAN双异质结构 | 第25-28页 |
| ·ALGAN/GAN/ALGAN结构 | 第28-29页 |
| ·ALGAN/GAN/INGAN/GAN双异质结构 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 ALGAN/GAN双异质结材料生长及表征 | 第32-50页 |
| ·MOCVD技术简介 | 第32-33页 |
| ·MOCVD基本介绍 | 第32页 |
| ·MOCVD技术生长GAN晶体薄膜的基本过程 | 第32-33页 |
| ·GAN基异质结材料的设计生长 | 第33-36页 |
| ·异质结材料结晶质量表征 | 第36-48页 |
| ·HRXRD测试 | 第36-41页 |
| ·异质结材料电学特性表征 | 第41-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 双异质结器件制备与特性分析 | 第50-60页 |
| ·ALGAN/GAN双异质结HEMT器件制备 | 第50-53页 |
| ·HEMT器件制造工艺介绍 | 第50-51页 |
| ·HEMT器件制造 | 第51-53页 |
| ·ALGAN/GAN双异质结HEMT器件特性 | 第53-59页 |
| ·输出特性 | 第53-54页 |
| ·转移特性 | 第54-56页 |
| ·DIBL效应测试 | 第56-57页 |
| ·击穿电压比较 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 研究成果 | 第70页 |
