| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 简略词表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1 半导体纳米材料及其分类 | 第10页 |
| 2 半导体纳米材料的性质 | 第10-14页 |
| ·量子点及其光学特性 | 第11-13页 |
| ·一维半导体纳米材料及其特性 | 第13页 |
| ·复合荧光纳米材料及其特性 | 第13-14页 |
| 3 复合荧光微球的制备方法 | 第14-16页 |
| ·硅化学法制备二氧化硅复合荧光微球 | 第14页 |
| ·溶胀法制备聚合物复合荧光微球 | 第14-15页 |
| ·静电自组装法制备复合荧光微球 | 第15页 |
| ·共聚法制备聚合物复合荧光微球 | 第15-16页 |
| 4 纳米材料的应用 | 第16-22页 |
| ·量子点的应用 | 第16-18页 |
| ·一维半导体纳米材料的应用 | 第18-19页 |
| ·量子点复合荧光微球的应用 | 第19-22页 |
| 5 本课题的设计思想及意义 | 第22-24页 |
| 第二章 CdTe量子点聚苯乙烯荧光微球的制备及其表征 | 第24-32页 |
| 1 前言 | 第24-25页 |
| 2 材料与主要仪器 | 第25页 |
| ·材料 | 第25页 |
| ·主要仪器 | 第25页 |
| 3 实验方法 | 第25-27页 |
| ·CdTe量子点聚苯乙烯荧光微球的制备 | 第25-26页 |
| ·CdTe量子点聚合物荧光微球的表征 | 第26-27页 |
| 4 结果与分析 | 第27-30页 |
| ·荧光光谱表征 | 第27-28页 |
| ·荧光显微镜表征 | 第28页 |
| ·X-射线衍射图谱表征 | 第28-29页 |
| ·透射及高分辨透射电子显微图像表征 | 第29-30页 |
| ·红外光谱表征 | 第30页 |
| 5 机理探讨 | 第30-31页 |
| 6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 一维CdTe纳米线与CdTe量子点的相互作用研究 | 第32-44页 |
| 1 前言 | 第32-33页 |
| 2 材料与主要仪器 | 第33页 |
| ·材料 | 第33页 |
| ·主要仪器 | 第33页 |
| 3 实验方法 | 第33-37页 |
| ·CdTe纳米线的制备及提纯 | 第33-34页 |
| ·CdTe纳米线浓度的估算 | 第34-35页 |
| ·CdTe量子点的制备及表征 | 第35页 |
| ·CdTe量子点与CdTe纳米线的相互作用研究 | 第35-36页 |
| ·CdTe纳米线与CdTe量子点相互作用机理研究 | 第36-37页 |
| 4 结果与分析 | 第37-41页 |
| ·CdTe纳米线的表征 | 第37-38页 |
| ·CdTe纳米线与CdTe量子点的相互作用研究 | 第38-41页 |
| 5 作用机理研究 | 第41-43页 |
| ·紫外-可见光谱研究 | 第41页 |
| ·离子强度对反应体系的影响 | 第41-42页 |
| ·相互作用的热力学参数 | 第42-43页 |
| 6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 银掺杂的碲化镉纳米线的制备及其表征 | 第44-51页 |
| 1 前言 | 第44-45页 |
| 2 材料与主要仪器 | 第45页 |
| ·材料 | 第45页 |
| ·主要仪器 | 第45页 |
| 3 实验方法 | 第45-46页 |
| ·CdTe纳米线的制备及提纯 | 第45页 |
| ·CdTe纳米线浓度的估算 | 第45-46页 |
| ·银掺杂碲化镉纳米线的制备及表征 | 第46页 |
| 4 结果与分析 | 第46-49页 |
| ·紫外-可见光谱表征 | 第46-47页 |
| ·X-射线衍射图谱表征 | 第47-48页 |
| ·透射电子显微图像表征 | 第48页 |
| ·EDS表征 | 第48-49页 |
| ·TG表征 | 第49页 |
| 5 机理探讨 | 第49-50页 |
| 6 本章小结 | 第50-51页 |
| 全文总结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 附录 | 第62页 |