摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-15页 |
第1章 绪论 | 第15-38页 |
·课题背景及研究意义 | 第15-17页 |
·硅锗异质结构体系中的位错简介 | 第17-23页 |
·滑动面内的全位错 | 第19-20页 |
·拖动面内的60 度全位错 | 第20-21页 |
·滑动面内的肖克莱位错 | 第21-22页 |
·拖动面内的肖克莱位错 | 第22-23页 |
·国内外半导体异质结构研究现状 | 第23-31页 |
·人工能带裁剪技术简介 | 第23-24页 |
·失配位错的产生过程 | 第24-26页 |
·SiGe/Si 外延层的生长方法 | 第26-31页 |
·分子动力学模拟简介 | 第31-36页 |
·分子动力学基本原理 | 第31-32页 |
·应力施加的算法 | 第32-33页 |
·势函数简介 | 第33-36页 |
·论文研究的主要内容 | 第36-38页 |
第2章 硅材料的弹性性质模拟 | 第38-50页 |
·前言 | 第38页 |
·模型构建及模拟过程 | 第38-41页 |
·周期性边界条件 | 第39-40页 |
·模拟过程 | 第40-41页 |
·Si 在[111]方向上的强度及弹性常数模拟 | 第41-47页 |
·体系能量随应变的变化 | 第41-42页 |
·Si 晶体的理想强度计算 | 第42-43页 |
·Si 的弹性常数计算 | 第43-44页 |
·空位缺陷对Si 强度的影响 | 第44-45页 |
·空位缺陷对Si 弹性常数的影响 | 第45-47页 |
·各向同性Si 的弹性常数计算 | 第47-49页 |
·本章小结 | 第49-50页 |
第3章 Si 晶体中位错成核研究 | 第50-61页 |
·前言 | 第50-51页 |
·90 度位错形成势垒计算 | 第51-57页 |
·90 度位错偶极子模型的构建 | 第51-52页 |
·90 度位错层错能计算 | 第52-53页 |
·90 度位错形成势垒的模拟计算 | 第53-55页 |
·90 度位错形成势垒的理论计算 | 第55-57页 |
·60 度位错形成势垒计算 | 第57-60页 |
·60 度位错偶极子模型的构建 | 第57-59页 |
·60 度位错形成势垒的模拟计算 | 第59-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
第4章 Si 晶体中60 度位错运动特性研究 | 第61-68页 |
·前言 | 第61页 |
·60 度位错模型构建及模拟过程 | 第61-62页 |
·位错运动速度的确定方法 | 第62-63页 |
·60 度位错运动特性研究 | 第63-66页 |
·60 度位错运动速度与温度的关系 | 第63-65页 |
·Si 中Peierls 应力与温度的关系 | 第65页 |
·60 度位错运动速度与剪应力的关系 | 第65-66页 |
·本章小结 | 第66-68页 |
第5章 位错在SiGe/Si 异质结构中的运动性质 | 第68-85页 |
·前言 | 第68-70页 |
·位错在SiGe 体系中的运动特性 | 第70-73页 |
·模型构建及模拟过程 | 第70-71页 |
·SiGe 中位错运动速度与温度的关系 | 第71-72页 |
·SiGe 中位错运动速度与应力的关系 | 第72-73页 |
·位错在SiGe/Si 界面处的运动特性 | 第73-76页 |
·模型构建及模拟过程 | 第73-74页 |
·位错滑过SiGe/Si 界面前后的运动速度 | 第74-76页 |
·LT-Si 缓冲层的温度对位错运动的影响 | 第76-80页 |
·模型构建及模拟过程 | 第77页 |
·模拟结果分析 | 第77-80页 |
·SiGe 层中Ge 的含量对位错运动的影响 | 第80-83页 |
·模型建立及模拟过程 | 第81-82页 |
·模拟结果分析 | 第82-83页 |
·本章小结 | 第83-85页 |
第6章 位错与空位缺陷的相互作用 | 第85-108页 |
·前言 | 第85页 |
·位错与六边形空位缺陷的相互作用 | 第85-98页 |
·六边形空位模型的构建及模拟过程 | 第85-88页 |
·空位缺陷对位错的钉扎作用研究 | 第88-91页 |
·60 度位错分解过程研究 | 第91-95页 |
·空位缺陷对位错运动速度的影响 | 第95-98页 |
·位错与双空位缺陷的相互作用 | 第98-106页 |
·双空位缺陷模型的构建 | 第98-99页 |
·单个双空位与位错的相互作用 | 第99-102页 |
·多个双空位与位错的相互作用 | 第102-106页 |
·本章小结 | 第106-108页 |
结论 | 第108-110页 |
参考文献 | 第110-120页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第120-122页 |
致谢 | 第122-123页 |
个人简历 | 第123页 |