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硅锗异质结构中失配位错演化及应变释放机理的分子模拟

摘要第1-6页
Abstract第6-15页
第1章 绪论第15-38页
   ·课题背景及研究意义第15-17页
   ·硅锗异质结构体系中的位错简介第17-23页
     ·滑动面内的全位错第19-20页
     ·拖动面内的60 度全位错第20-21页
     ·滑动面内的肖克莱位错第21-22页
     ·拖动面内的肖克莱位错第22-23页
   ·国内外半导体异质结构研究现状第23-31页
     ·人工能带裁剪技术简介第23-24页
     ·失配位错的产生过程第24-26页
     ·SiGe/Si 外延层的生长方法第26-31页
   ·分子动力学模拟简介第31-36页
     ·分子动力学基本原理第31-32页
     ·应力施加的算法第32-33页
     ·势函数简介第33-36页
   ·论文研究的主要内容第36-38页
第2章 硅材料的弹性性质模拟第38-50页
   ·前言第38页
   ·模型构建及模拟过程第38-41页
     ·周期性边界条件第39-40页
     ·模拟过程第40-41页
   ·Si 在[111]方向上的强度及弹性常数模拟第41-47页
     ·体系能量随应变的变化第41-42页
     ·Si 晶体的理想强度计算第42-43页
     ·Si 的弹性常数计算第43-44页
     ·空位缺陷对Si 强度的影响第44-45页
     ·空位缺陷对Si 弹性常数的影响第45-47页
   ·各向同性Si 的弹性常数计算第47-49页
   ·本章小结第49-50页
第3章 Si 晶体中位错成核研究第50-61页
   ·前言第50-51页
   ·90 度位错形成势垒计算第51-57页
     ·90 度位错偶极子模型的构建第51-52页
     ·90 度位错层错能计算第52-53页
     ·90 度位错形成势垒的模拟计算第53-55页
     ·90 度位错形成势垒的理论计算第55-57页
   ·60 度位错形成势垒计算第57-60页
     ·60 度位错偶极子模型的构建第57-59页
     ·60 度位错形成势垒的模拟计算第59-60页
   ·本章小结第60-61页
第4章 Si 晶体中60 度位错运动特性研究第61-68页
   ·前言第61页
   ·60 度位错模型构建及模拟过程第61-62页
   ·位错运动速度的确定方法第62-63页
   ·60 度位错运动特性研究第63-66页
     ·60 度位错运动速度与温度的关系第63-65页
     ·Si 中Peierls 应力与温度的关系第65页
     ·60 度位错运动速度与剪应力的关系第65-66页
   ·本章小结第66-68页
第5章 位错在SiGe/Si 异质结构中的运动性质第68-85页
   ·前言第68-70页
   ·位错在SiGe 体系中的运动特性第70-73页
     ·模型构建及模拟过程第70-71页
     ·SiGe 中位错运动速度与温度的关系第71-72页
     ·SiGe 中位错运动速度与应力的关系第72-73页
   ·位错在SiGe/Si 界面处的运动特性第73-76页
     ·模型构建及模拟过程第73-74页
     ·位错滑过SiGe/Si 界面前后的运动速度第74-76页
   ·LT-Si 缓冲层的温度对位错运动的影响第76-80页
     ·模型构建及模拟过程第77页
     ·模拟结果分析第77-80页
   ·SiGe 层中Ge 的含量对位错运动的影响第80-83页
     ·模型建立及模拟过程第81-82页
     ·模拟结果分析第82-83页
   ·本章小结第83-85页
第6章 位错与空位缺陷的相互作用第85-108页
   ·前言第85页
   ·位错与六边形空位缺陷的相互作用第85-98页
     ·六边形空位模型的构建及模拟过程第85-88页
     ·空位缺陷对位错的钉扎作用研究第88-91页
     ·60 度位错分解过程研究第91-95页
     ·空位缺陷对位错运动速度的影响第95-98页
   ·位错与双空位缺陷的相互作用第98-106页
     ·双空位缺陷模型的构建第98-99页
     ·单个双空位与位错的相互作用第99-102页
     ·多个双空位与位错的相互作用第102-106页
   ·本章小结第106-108页
结论第108-110页
参考文献第110-120页
攻读博士学位期间发表的学术论文第120-122页
致谢第122-123页
个人简历第123页

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