| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| ·铌酸锂晶体的特点 | 第9页 |
| ·铌酸锂晶体的结构 | 第9-10页 |
| ·铌酸锂晶体的本征缺陷 | 第10-12页 |
| ·同成分铌酸锂晶体 | 第12-13页 |
| ·近化学计量比铌酸锂晶体 | 第13-14页 |
| ·同成分和化学计量比对铌酸锂晶体物理性能的影响 | 第14-15页 |
| ·铌酸锂晶体掺杂改性的国内外研究现状 | 第15-22页 |
| ·掺杂的作用 | 第15-16页 |
| ·掺镁抗光损伤铌酸锂晶体 | 第16-18页 |
| ·掺杂离子占位 | 第18-19页 |
| ·晶体的氧化还原处理 | 第19-20页 |
| ·掺杂双光子非挥发存储 | 第20-22页 |
| ·课题研究的目的及意义 | 第22-23页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验材料及方法 | 第24-34页 |
| ·掺杂元素的选择 | 第24页 |
| ·晶体生长原料及配比 | 第24-25页 |
| ·晶体制备 | 第25-30页 |
| ·晶体的生长设备 | 第25-26页 |
| ·晶体的生长工艺 | 第26-28页 |
| ·晶体生长过程控制 | 第28-30页 |
| ·晶体加工处理 | 第30-33页 |
| ·晶体极化 | 第30-31页 |
| ·晶体加工 | 第31-32页 |
| ·晶体的氧化和还原处理 | 第32-33页 |
| ·晶体结构及性能测试方法 | 第33-34页 |
| 第3章 镁锰铌酸锂晶体的结构与缺陷 | 第34-49页 |
| ·掺杂离子对OH~-共振峰的影响 | 第34-37页 |
| ·掺杂离子对晶体基础吸收边的影响 | 第37-42页 |
| ·晶体微观缺陷总量的研究 | 第42-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 镁锰铌酸锂晶体的光折变性能 | 第49-62页 |
| ·光折变效应 | 第49-50页 |
| ·二波耦合实验设计 | 第50-51页 |
| ·氧化态样品的光折变性能 | 第51-54页 |
| ·氧化和还原处理对晶体光折变性能的影响 | 第54-56页 |
| ·氧化和还原处理对晶体光折变性能的影响的测试结果 | 第54-55页 |
| ·氧化和还原处理对晶体光折变性能的影响的测试结果分析 | 第55-56页 |
| ·CLN-1G 样品的非挥发存储性能 | 第56-59页 |
| ·晶体非挥发存储的基本原理 | 第56-57页 |
| ·CLN-1G 的非挥发存储性能 | 第57-59页 |
| ·Mg:Mn:LiNbO_3 晶体的抗光损伤性能 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文原创性声明 | 第69页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文使用授权书 | 第69页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位涉密论文管理 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |