场发射阵列薄膜设计及技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·场发射的发展历史 | 第9-11页 |
| ·场发射应用现状 | 第11-14页 |
| ·场发射平板显示 | 第11-12页 |
| ·微波器件 | 第12-13页 |
| ·场发射传感器 | 第13-14页 |
| ·场发射研究的意义 | 第14-16页 |
| ·场致发射的优越性 | 第14-15页 |
| ·场致发射研究的目的与意义 | 第15-16页 |
| ·论文的选题及主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 引入表面态的场发射理论 | 第18-34页 |
| ·场发射的基本理论 | 第18-22页 |
| ·外场对逸出功的影响----肖特基效应 | 第18-19页 |
| ·场发射方程----福勒-诺德海姆公式 | 第19-22页 |
| ·表面态的基本理论 | 第22-29页 |
| ·晶体电子结构和Bloch波函数 | 第22-23页 |
| ·Tamm对表面电子结构的证明 | 第23-26页 |
| ·一维半无限晶体的表面态 | 第26-28页 |
| ·理想量子膜的电子态 | 第28-29页 |
| ·场发射薄膜材料中的表面态理论 | 第29-33页 |
| ·引入表面态场发射分析与讨论 | 第33-34页 |
| 第三章 场发射薄膜材料能带计算 | 第34-42页 |
| ·材料计算的基本理论 | 第34-38页 |
| ·六硼化镧能带结构的计算 | 第38-39页 |
| ·相关硼化镧能带电子结构计算 | 第39-42页 |
| 第四章 场发射数值模拟 | 第42-59页 |
| ·数值计算的基本理论 | 第42-45页 |
| ·基本计算方程 | 第42-43页 |
| ·计算模型及边界条件 | 第43-44页 |
| ·有限差分算法 | 第44-45页 |
| ·场发射计算的基本过程 | 第45-46页 |
| ·场发射三级管结构模拟 | 第46-52页 |
| ·物理模型 | 第46-47页 |
| ·数值模拟结果及分析 | 第47-52页 |
| ·结论 | 第52页 |
| ·四种多级场发射结构模拟 | 第52-59页 |
| ·四种结构模型的建立与计算 | 第52-56页 |
| ·四种结构模型的计算结果与讨论 | 第56-59页 |
| 第五章 场发射阵列的制备及性能分析 | 第59-71页 |
| ·氧化削尖场发射阵列的制备 | 第59-61页 |
| ·氧化削尖制备场发射阵列 | 第59-60页 |
| ·敷膜氧化削尖制备场发射阵列及测试 | 第60-61页 |
| ·大面积发射阵列的制备及测试 | 第61-62页 |
| ·在大面积场发射阵列上沉积硼化镧薄膜 | 第62-66页 |
| ·薄膜场发射阵列的测试及分析 | 第66-71页 |
| 第六章 场发射总结与展望 | 第71-73页 |
| ·本文的工作总结 | 第71-72页 |
| ·工作展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第79页 |
